[发明专利]彩膜基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201310484617.0 申请日: 2013-10-15
公开(公告)号: CN103529591A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 郭磊;尹傛俊;涂志中;惠大胜 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1339;G02F1/1333;G03F7/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李相雨
地址: 230012 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 彩膜基板 制备 方法 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种彩膜基板,其特征在于,包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的黑矩阵以及设置在所述黑矩阵之上的隔垫物;至少一部分所述隔垫物与黑矩阵之间设置有枕垫层。

2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述枕垫层与所述黑矩阵为一体式结构。

3.根据权利要求1或2所述的彩膜基板,其特征在于,所述枕垫层为多级台阶状结构。

4.根据权利要求3所述的彩膜基板,其特征在于,所述隔垫物包括主隔垫物和辅助隔垫物;所述主隔垫物设置在所述枕垫层的最高阶上,所述辅助隔垫物设置在所述枕垫层最高阶之外的其他阶或黑矩阵上。

5.根据权利要求3所述的彩膜基板,其特征在于,所述枕垫层为二级台阶状结构。

6.根据权利要求5所述的彩膜基板,其特征在于,所述隔垫物包括主隔垫物和辅助隔垫物;所述主隔垫物设置在所述枕垫层的最高阶上,所述辅助隔垫物包括设置在所述枕垫层最低阶上的第一辅助隔垫物以及设置在所述黑矩阵上的第二辅助隔垫物。

7.根据权利要求4或6所述的彩膜基板,其特征在于,所述主隔垫物和辅助隔垫物的高度相同。

8.根据权利要求3所述的彩膜基板,其特征在于,所述枕垫层的最高阶与所述黑矩阵的厚度之和为1.05~3.15um。

9.一种彩膜基板制备方法,其特征在于,包括形成根据权利要求1-8任意一项所述的枕垫层的步骤。

10.根据权利要求9所述的彩膜基板制备方法,其特征在于,包括:

A1.在衬底基板上涂覆一层感光黑色树脂;

A2.通过光刻工艺形成所述黑矩阵以及枕垫层图案。

11.根据权利要求10所述的彩膜基板制备方法,其特征在于,所述步骤A2进一步包括:

A201.通过双色调掩膜板曝光,形成对应所述枕垫层的黑色树脂完全保留区域、对应所述黑矩阵区域的黑色树脂半保留区域以及对应上述区域之外区域的黑色树脂完全去除区域;

A202.进行显影处理,黑色树脂完全保留区域的黑色树脂被完全保留,黑色树脂完全去除区域的黑色树脂被完全去除,黑色树脂半保留区域部分厚度的黑色树脂被去除。

12.根据权利要求9所述的彩膜基板制备方法,其特征在于,包括:

S1.在衬底基板上涂覆一层非感光黑色树脂;

S2.通过构图工艺形成所述黑矩阵以及枕垫层图案。

13.根据权利要求12所述的彩膜基板制备方法,其特征在于,所述步骤S2进一步包括:

S201.在所述黑色树脂层上涂覆一层光刻胶;

S202.通过双色调掩膜板曝光,形成对应所述枕垫层的光刻胶完全保留区域、对应所述黑矩阵区域的光刻胶半保留区域以及对应上述区域之外区域的光刻胶完全去除区域并进行显影处理;

S203.通过刻蚀工艺去除光刻胶完全去除区域的黑色树脂;

S204.通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶;

S205.通过刻蚀工艺去除光刻胶半保留区域部分厚度的黑色树脂;

S206.剥离剩余的光刻胶。

14.根据权利要求13所述的彩膜基板制备方法,其特征在于,所要形成的枕垫层为二级台阶状结构;所述步骤S206之后还包括:

S207.在所述彩膜基板上涂覆一层光刻胶;

S208.通过掩膜板曝光,形成对应所述枕垫层最低阶图案的光刻胶完全去除区域以及对应上述区域之外区域的光刻胶完全去除区域;

S209.显影处理后,通过刻蚀工艺去除光刻胶完全去除区域部分厚度的黑色树脂;

S210.剥离剩余的光刻胶。

15.一种显示面板,其特征在于,包括根据权利要求1-8任意一项所述的彩膜基板以及与所述彩膜基板对盒的阵列基板;至少一部分设置在所述枕垫层上的隔垫物与所述阵列基板挤压接触。

16.根据权利要求15所述的显示面板,其特征在于,与所述阵列基板挤压接触的隔垫物的压缩量为该隔垫物初始高度的10%~20%。

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