[发明专利]在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法。

背景技术

晶圆在加工成管芯的过程中，受到切割裂片的限制，只能是方形或长方形的管芯，所以现有圆形晶圆在切割裂片过程中四周的管芯变得不完整，成本上产生了浪费。而方形或长方形晶圆四周与切割裂片方向平行，不会产生如圆形晶圆边沿圆弧产生的管芯不完整。

晶圆制作成管芯的过程，需要多步工艺，包括台面蚀刻、电极定义、钝化保护，需要一系列针对不同工艺的掩模版版图。由于圆形晶圆第一次光刻曝光时，不需要对版，直接利用第一块掩模版进行曝光即可，第二块掩模版再根据第一块掩模版在晶圆对应位置留下的对准标记进行对位，依次类推。但是用这种光刻板对准方法，并不能保证方形外延片四周管芯的完整，如图1，21为方形晶圆四边，22为利用光刻工艺在方形晶圆上形成的管芯，由于没有光刻对位，方形晶圆四周的管芯并不完整。这同样会造成浪费。

发明内容

(一)要解决的技术问题

鉴于上述技术问题，本发明提供了一种在第一次光刻工艺中方形晶圆对准的方法，以避免由于曝光造成管芯的破坏。

(二)技术方案

根据本发明的一个方面，提供了一种在第一次光刻工艺中方形晶圆对准的方法。该方法包括：步骤A，在对方形晶圆进行第一次曝光的掩模板上掩模图形的外围，制备对准标记；步骤B，在第一次曝光工艺中，利用掩模板上的对准标记，将方形晶圆限定在预设区域内，由掩模图形对方形晶圆进行曝光；以及步骤C，在第二次曝光工艺以及后续曝光工艺中，利用前一次光刻工艺留下的对准标记对方形晶圆进行对准。

(三)有益效果

本发明方形晶圆版图对准的方法简单可靠、易于实现，可保证方形晶圆边沿管芯完整，提高芯片产能。

附图说明

图1为现有技术未进行方形晶圆版图对准进行第一次光刻工艺曝光后管芯在晶圆上的分布；

图2根据本发明第一实施例在第一次光刻工艺曝光中对准方形晶圆版图方法的流程图；

图3为图2所示方法中的第一次光刻工艺中掩模板的示意图；

图4根据本发明第二实施例中第一次光刻工艺中掩模板的示意图。

【符号说明】

21-方形晶圆四边；      22-晶圆四周残缺的管芯；

23-直角条形对准标记；  24-方框形对准标记；

25、26、27-掩模图形。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。需要说明的是，在附图或说明书描述中，相似或相同的部分都使用相同的图号。附图中未绘示或描述的实现方式，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式。另外，虽然本文可提供包含特定值的参数的示范，但应了解，参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应的值。实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明的保护范围。

本发明通过在前一次光刻过程中至少于方形晶圆相对顶角对应的位置处或其外侧，制作对准标记，从而在后续光刻过程中，依据该对准标记进行对位，从而保证了四周管芯的完整。

实施例1

在本发明的第一个示例性实施例中，提供了一种方形晶圆版图对准的方法，其中，该方形晶圆为方形GaN基LED外延片。由该LED外延片制作LED芯片包括：台面蚀刻、电极定义、钝化保护等一系列光刻过程。

请参照图2，本实施例方形晶圆版图对准的方法包括：

步骤A，在对方形GaN基LED外延片进行第一次曝光的掩模板上掩模图形25的外围，制备两直角条形对准标记23，该直角条形对准标记23的内侧与被曝光的方形GaN基LED外延片的相对顶角相对应，如图3所不；

需要说明的是，该直角条形对准标记23的长度和宽度可以根据需要进行设定，只要直角条形对准标记的互相垂直的两部分分别平行于方形晶圆的互相垂直的两边即可。并且该直角条形对准标记的数目至少为两个，其还可以为1个、3个或者4个，本发明并不对此进行限定。该直角条形对准标记的内侧与被曝光的方形GaN基LED外延片的相应边沿的距离d满足：0μm≤d≤50μm。

步骤B，在第一次曝光工艺中，将掩模板外围两直角条形对准标记的内侧与被曝光的方形GaN基LED外延片的相对顶角对准，利用掩模图形对所述方形GaN基LED外延片进行曝光；