[发明专利]一种CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310485315.5 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103572232A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 卢靖;张亚宾;黄剑锋;曹丽云 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cuo cotio sub 复合 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法，其特征在于：
1）以分析纯的TiO2和Co3O4为原料，分别与粘结剂混合，在50MPa-100MPa，200℃-700℃下预烧，制备出TiO2靶材和Co3O4靶材，并将TiO2靶材和Co3O4靶材分别放入磁控溅射仪的两个射频靶位中，将纯度为99.99%的Cu靶放入直流溅射靶位；
2）将干净的Si基片放入磁控溅射仪的镀膜样品台上，通过真空系统将镀膜室和样品室内抽真空，当真空度达到1.0×10-4Pa-9.9×10-4Pa时，镀膜室通入Ar气，控制Ar气流量在10sccm-30sccm，使镀膜室和样品室内压强为0.2Pa-2Pa；
3）设置两射频靶电源功率为100-400W，并且使溅射出的Ti，Co原子摩尔比为1︰（0.5-2），同时调节直流靶功率为20W-200W，溅射10min-90min后将溅射得到的前驱体薄膜放入马弗炉中控制煅烧温度在300℃-700℃，煅烧0.5h-3h，随炉冷却得到最终产物。
2.根据权利要求1所述的CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射仪的靶材与基片之间安装有挡板，在步骤3）中先预溅射15min-30min后，移开靶材和基片的挡板，开始向基片镀膜。
3.根据权利要求1所述的CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法，其特征在于：所述的Si基片先在无水乙醇中超声清洗10min，然后置于H2O2和浓H2SO4混合溶液中浸泡10min，最后用去离子水超声清洗10min取出N2吹干，所述的H2O2与浓H2SO4的体积比为1︰（1-4）。
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