[发明专利]LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法与装置

权利要求书

1.一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1）对LPCVD设备建立温度控制系统模型；

2）对已建立的系统模型中加入非脆弱状态反馈控制器模型，建立含参耗散非脆弱控制器模型；

3）使用二次能量供给函数对已建立的含参耗散非脆弱控制器模型进行稳定性分析；

4）在含参耗散非脆弱控制器模型稳定时，对含参耗散非脆弱控制器模型中的变量进行求解，确定耗散非脆弱控制器模型。

2.根据权利要求1所述的一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法，其特征在于，所述步骤1）的温度控制系统模型的构建方法为使用状态空间表达式进行构建。

3.根据权利要求2所述的一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法，其特征在于，使用公式

x(t+1)=Ax(t)+Bu(t)+[f(x(t))-Ax(t)]+[g(x(t))-B]u(t)

y(t)=Cx(t)                      （1）

构建含有建模误差的温度控制系统模型，

其中f(x)和g(x)为控制系统的非线性部分，x(t)为控制系统的状态变量，C为系统输出矩阵，y(t)为控制系统的输出，u(t)为控制系统的输入，A为系统状态矩阵，B为系统输入矩阵，[f(x(t))-Ax(t)]+[g(x(t))-B]u(t)即为建模误差w(t)。

4.根据权利要求3所述的一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法，其特征在于，所述步骤2）加入的非脆弱状态反馈控制器模型为u(t)=(K+ΔK)x(t)，其中K为反馈增益矩阵，ΔK为增益不确定项。

5.根据权利要求4所述的一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法，其特征在于，所述步骤2）中使用增益不确定项ΔK的取值方法为ΔK=ηK_p且||η||≤1，其中，K_p为比例反馈增益矩阵。

6.根据权利要求5所述的一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法，其特征在于，所述步骤3）中使用

ΔV(t)-{yTQy+2yTSw+wTRw}+αwTw=x(t)w(t)TL1-CTS*L2x(t)w(t)-x(t)w(t)TC0TQC0x(t)w(t)---(2)=x(t)w(t)T{L1-CTS*L2-C0TQC0}x(t)w(t)]]>

进行稳定性分析，

其中Q，S，R是适当维实矩阵，Q和R是对称矩阵，υ为控制系统耗散性，V(t)为变量，ΔV(t)为V(t)对时间的差分。