[发明专利]喷墨打印的抗蚀剂有效
| 申请号： | 201310485921.7 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103594353B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 董华;R·K·巴尔 | 申请（专利权）人： | 太阳化学公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;G03F7/004 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 喷墨 打印 抗蚀剂 | ||
1.一种在半导体上形成电流路径的方法，包括：
a)提供掺杂的半导体晶片，其包括前侧、后侧和pn结；
b)选择性地在半导体晶片的前侧之上使用抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物包括一种或多种在室温下为固态的氢化松香树脂，一种或多种在室温下为液态的氢化松香树脂酯，以及一种或多种脂肪酸；以及
c)将蚀刻剂组合物施加到半导体上来蚀刻掉半导体前侧的暴露部分从而形成电流路径；
其中一种或多种氢化松香树脂和一种或多种氢化松香树脂酯的重量比是2:1到4:1。
2.权利要求1的方法，其中半导体的前侧还包括减反射层。
3.权利要求1的方法，其中氢化松香树脂来自松香酸或海松酸。
4.权利要求1的方法，其中氢化松香树脂酯来自松香酸或海松酸。
5.权利要求1的方法，其中半导体晶片前侧的发射极层是n++掺杂的。
6.权利要求1的方法，其中半导体晶片是单版晶片、单晶晶片或多晶晶片。
7.一种组合物，包括一种或多种氢化松香树脂，一种或多种氢化松香树脂酯，以及一种或多种脂肪酸，一种或多种氢化松香树脂在室温下为固态，一种或多种氢化松香树脂酯在室温下为液态，一种或多种氢化松香树脂和一种或多种氢化松香树脂酯的重量比是2:1到4:1。
8.权利要求7的组合物，其中一种或多种氢化松香树脂和一种或多种氢化松香树脂酯的重量比是2.3:1到3.8:1。
9.权利要求8的组合物，其中一种或多种氢化松香树脂和一种或多种氢化松香树脂酯的重量比是2.5:1到3.3:1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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