[发明专利]一种正负胶工艺结合的微带线制造方法无效
| 申请号： | 201310485962.6 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103545589A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李建华;徐立新;陈和峰;卢冲赢 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 正负 工艺 结合 微带 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种正负胶工艺结合的微带线制造方法，其特征在于包括以下步骤：
第一步，在玻璃或者硅片上涂覆正胶作为器件释放的牺牲层；
第二步，在正胶上溅射电镀种子层并涂胶、光刻，电镀Ni作为接地层；
第三步，在上述得到的基片上溅射一层Cu金属层；
第四步，涂覆SU-8光刻胶并光刻出图形；
第五步，在上述得到的图形上溅射Cr/Cu种子层；
第六步，涂胶、光刻出微带线图形；
第七步，电镀Ni/Au微带线；
第八步，溶解掉正胶，得到以SU-8光刻胶为介质层的微带线。
2.根据权利要求1所述的一种SU-8胶为介质层的微带线制造方法，其特征在于用高介电常数，而且机械性能优异的SU-8负性光刻胶作为微带线的介质层。
3.根据权利要求1所述的一种SU-8胶为介质层的微带线制造方法，其特征在于用正性光刻胶作为微带线器件释放的牺牲层。
4.根据权利要求1所述的一种SU-8胶为介质层的微带线制造方法，其特征在于在涂覆SU-8胶之前，先要溅射一层Cu金属层，这是因为SU-8胶显影液是碱性的，为避免在SU-8胶显影过程中会溶解下层的正胶，因此用一层Cu金属层保护下面的正胶不被溶解。
5.根据权利要求1所述的一种SU-8胶为介质层的微带线制造方法，其特征在器件的释放过程要逐层溶解。
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