[发明专利]立式晶舟法的结晶制造装置和结晶制造方法

权利要求书

1.一种立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于，具备：

收容原料的坩埚；

将所述坩埚封入的安瓿；和

设置于所述安瓿的周围、将所述原料加热的结晶生长用加热器，

利用所述结晶生长用加热器使所述原料熔融制成原料熔液，并且控制所述原料熔液的温度，在所述坩埚内从其下方向上方使结晶生长，

在所述坩埚内含有作为所述原料的GaAs和作为掺杂剂的Si，

该结晶制造装置具备：设置于所述安瓿内与所述原料不同位置的作为追加原料的追加B₂O₃；和

将所述追加B₂O₃与所述原料独立地加热的B₂O₃追加用加热器，

在所述结晶的生长中，利用所述B₂O₃追加用加热器控制所述追加B₂O₃的温度，使所述追加B₂O₃的至少一部分熔融并且供给到所述坩埚内。

2.如权利要求1所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

还具备设置于所述安瓿内所述坩埚的上部、收容所述追加B₂O₃的追加B₂O₃用容器，

在所述追加B₂O₃用容器的底部形成有追加口，所述追加B₂O₃从所述追加口供给到所述坩埚内。

3.如权利要求2所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

所述追加口形成于偏离所述坩埚的中心轴的位置。

4.如权利要求2或3所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

所述追加口预先被盖堵塞，所述盖由熔点比所述追加B₂O₃高的其它材料形成，在所述结晶的生长中，利用所述B₂O₃追加用加热器使所述盖熔融，使所述追加口开放，将所述追加B₂O₃供给到所述坩埚内。

5.如权利要求4所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

所述盖形成为板状，以堵塞所述追加口的方式收容于所述追加B₂O₃用容器内。

6.如权利要求4所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

所述盖形成为与所述追加口嵌合的栓状，以堵塞所述追加口的方式嵌合于所述追加口。

7.如权利要求2～6中任一项所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

所述追加B₂O₃用容器的底部形成为漏斗状。

8.如权利要求2～7中任一项所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

所述追加B₂O₃用容器的材质为PBN。

9.如权利要求2～8中任一项所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

所述追加口的大小为0.3～1mm。

10.如权利要求1～9中任一项所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

所述结晶生长用加热器和所述B₂O₃追加用加热器由隔热件隔开。

11.如权利要求1～10中任一项所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

所述B₂O₃追加用加热器设置于所述安瓿的上部。

12.如权利要求2～11中任一项所述的立式晶舟法的结晶制造装置，其特征在于：

所述追加B₂O₃用容器的周围设置有感应加热用的传热件。

13.一种立式晶舟法的结晶制造方法，其特征在于：

使收容于坩埚内的原料熔融制成原料熔液，并且控制所述原料熔液的温度，在所述坩埚内从其下方向上方使结晶生长，

在所述坩埚内收容作为所述原料的GaAs和作为掺杂剂的Si，在与所述原料不同的位置收容作为追加原料的追加B₂O₃，在所述结晶的生长中控制所述追加B₂O₃的温度，使所述追加B₂O₃的至少一部分熔融并且供给到所述坩埚内。