[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310487389.2 申请日: 2013-10-17
公开(公告)号: CN103779311B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 安藤英子 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 权太白,谢丽娜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具有:

金属制的芯片搭载部,其具有芯片搭载面;

半导体芯片,具有形成第1电极及第2电极的正面以及位于上述正面的相反侧并形成第3电极的背面,该半导体芯片经由第1导电性接合材料搭载到上述芯片搭载部;

第1引脚,配置成与上述芯片搭载部分离,并与上述第1电极电连接;

第2引脚,配置成与上述芯片搭载部及上述第1引脚分离,并与上述第2电极电连接;

金属板,具有经由第2导电性接合材料与上述第2电极电连接的芯片连接部、经由第3导电性接合材料与上述第2引脚电连接的引脚连接部以及位于上述芯片连接部和上述引脚连接部之间的中间部,该金属板将上述第2电极和上述第2引脚电连接;以及

密封体,通过树脂将上述芯片搭载部的一部分、上述半导体芯片、上述第1引脚和第2引脚各自的一部分及上述金属板密封,

上述金属板在平面视图中沿着第1方向从上述半导体芯片的上述第2电极上依次配置上述芯片连接部、上述中间部及上述引脚连接部,

上述金属板具有沿着上述第1方向配置且彼此相对的第1侧面及第2侧面,

在上述中间部和上述芯片连接部之间设置第1阶梯部,上述第1阶梯部形成为连接上述第1侧面及第2侧面,

上述中间部的下表面配置在比上述芯片连接部的下表面距上述芯片搭载面更高的位置上,

上述第1阶梯部具有:第1连接部,连接上述中间部和上述芯片连接部;第1剪切面,形成为从上述第1连接部的下端朝向上述半导体芯片的上述正面,与上述芯片连接部的下表面相连;和第2剪切面,形成为从上述第1连接部的上端朝向与上述半导体芯片相反的方向,与上述芯片连接部的上表面相连,

上述芯片连接部的上述第1侧面的一部分及上述第2侧面的一部分被上述第2导电性接合材料覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

上述芯片连接部、上述中间部、上述引脚连接部的厚度分别大于上述半导体芯片的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

上述第1阶梯部的上述第1连接部的厚度大于上述第1剪切面的高度。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,

上述金属板的上述中间部包括配置在上述芯片连接部侧的第1中间部以及位于上述第1中间部和上述引脚连接部之间的第2中间部,

上述第1阶梯部设置在上述第1中间部和上述芯片连接部之间,

在上述第1中间部和上述第2中间部之间设置第2阶梯部,

上述第2中间部的下表面配置在比上述第1中间部的下表面距上述芯片搭载面更高的位置上,

上述第2阶梯部具有:第2连接部,连接上述第2中间部和上述第1中间部;第3剪切面,形成为从上述第2连接部的下端朝向上述半导体芯片的上述正面,与上述第1中间部的下表面相连;和第4剪切面,形成为从上述第2连接部的上端朝向与上述半导体芯片相反的方向,与上述第1中间部的上表面相连。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

上述第1连接部及上述第2连接部的厚度大于上述第1剪切面及上述第3剪切面的高度。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

上述第3剪切面的厚度方向的长度大于上述第1剪切面的上述厚度方向的长度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

上述引脚连接部的下表面设置在比上述中间部的下表面距上述芯片搭载面更低的位置上,

在上述引脚连接部和上述中间部之间设置第3阶梯部,

上述第3阶梯部具有:第3连接部,连接上述中间部和上述引脚连接部;第5剪切面,从上述第3连接部的下端朝向下方形成,与上述引脚连接部的下表面相连;和第6剪切面,从上述第3连接部的上端朝向上方形成,与上述引脚连接部的上表面相连。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,

上述第2引脚具有从上述密封体露出的端子部以及连接上述金属板的上述引脚连接部的金属板连接部,

上述金属板连接部的上表面配置在比上述端子部的上表面距上述芯片搭载面更高的位置上。

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