[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板，及形成于所述基板之上的栅电极层和像素电极层，其特征在于，包括：

所述栅电极层和所述像素电极层层叠设置且直接接触，构成像素电极和薄膜晶体管的栅电极；其中，所述像素电极层包括彼此区隔开的第一部分和第二部分，所述栅电极层包括第一部分，所述栅电极层的第一部分与所述像素电极层的第一部分位置正对；

所述栅电极包括所述栅电极层的第一部分和所述像素电极层的第一部分，所述像素电极包括所述像素电极的第二部分。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅电极层形成于所述像素电极层之上，所述像素电极仅包括所述像素电极层的第二部分。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅电极层形成于所述像素电极层之下，所述栅电极层包括第二部分，所述栅电极层的第二部分与所述栅电极层的第一部分彼此区隔，且所述栅电极层的第二部分与所述像素电极层的第二部分位置正对；

所述像素电极包括所述像素电极层的第二部分和所述栅电极层的第二部。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为OLED背板，所述栅电极层的第二部分作为所述OLED背板的反射电极。

5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极和钝化层。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为OLED背板，还包括像素界定层。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制备方法，包括形成栅电极层和像素电极层的步骤，其特征在于，包括：

在提供的基板上形成层叠设置且直接接触的栅电极金属薄膜和像素电极薄膜；

利用同一掩膜版，通过一次构图工艺在所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜上形成包括栅电极层和像素电极层的图形；

其中，所述像素电极层包括彼此区隔开的第一部分和第二部分，所述栅电极层包括第一部分，所述栅电极层的第一部分与所述像素电极层的第一部分位置正对；所述栅电极包括所述栅电极层的第一部分和所述像素电极层的第一部分，所述像素电极包括所述像素电极的第二部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述利用同一掩膜版，通过一次构图工艺在所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜上形成包括栅电极层和像素电极层的图形，包括：

所述栅电极金属薄膜形成于所述像素电极薄膜之上时，根据所述掩膜版，使设定的所述栅电极处的所述栅电极金属薄膜之上的光刻胶不曝光，使设定的所述像素电极处的所述栅电极金属薄膜和像素电极薄膜之上的光刻胶半曝光；

通过不同的刻蚀液分别刻蚀所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜，使所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜上形成包括所述栅电极层、所述像素电极层的第一部分和所述像素电极层的第二部分的图形。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述栅电极金属薄膜形成于所述像素电极薄膜之下时，包括形成所述栅电极层的第二部分的步骤，所述栅电极层的第二部分与所述栅电极层的第一部分彼此区隔，且所述栅电极层的第二部分与所述像素电极层的第二部分位置正对；

所述利用同一掩膜版，通过一次构图工艺在所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜上形成包括栅电极层和像素电极层的图形，包括：

根据所述掩膜版，使设定的所述栅电极处的所述像素电极薄膜之上的光刻胶不曝光；

通过不同的刻蚀液分别刻蚀所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜，使所述栅电极金属薄膜和所述像素电极薄膜上形成包括所述栅电极层的第一部分、所述栅电极层的第二部分、所述像素电极层的第一部分和所述像素电极层的第二部分的图形。

11.如权利要求8至10任一项所述的方法，其特征在于，包括形成栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极和钝化层的步骤。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述阵列基板为OLED背板，还包括形成像素界定层的步骤。