[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

实施方案涉及发光器件。实施方案涉及发光器件封装件。

背景技术

已经对包括发光器件的发光器件封装件进行了积极的研究和探索。

发光器件为包括半导体材料以将电能转换成光的半导体发光器件或半导体发光二极管。

与其它光源如荧光灯和白炽灯等相比，半导体发光器件由于功耗低、寿命长、响应时间快、安全以及环保，因而是有利的。因此，对用半导体发光器件替代现有光源已经进行了大量的研究和探索。

另外，半导体发光器件具有逐渐用于在室内和室外场所使用的各种灯、液晶显示器、电子显示器或诸如路灯等照明装置的光源的趋势。

发明内容

实施方案提供了一种能够通过增加注入的空穴来提高发光效率的发光器件。

实施方案提供了一种能够通过增加空穴的浓度来提高发光效率的发光器件。

根据实施方案，提供了一种发光器件，包括：包含第一导电掺杂剂的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层、在有源层上的电子阻挡层、在有源层与电子阻挡层之间的载流子注入层以及在电子阻挡层上的包含第二导电掺杂剂的第二半导体层。所述载流子注入层包含第一导电掺杂剂和第二导电掺杂剂，并且载流子注入层的第一导电掺杂剂的浓度低于第二导电掺杂剂的浓度。

根据实施方案，提供了一种发光器件，包括：包含第一导电掺杂剂的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层、在有源层上的电子阻挡层、在有源层与电子阻挡层之间的载流子注入层以及在电子阻挡层上的包含第二导电掺杂剂的第二半导体层。所述载流子注入层包括包含第一导电掺杂剂的第三半导体层、在第三半导体层上的未掺杂的第四半导体层以及在第四半导体层上的包含第二导电掺杂剂的第五半导体层。

根据实施方案，发光器件封装件包括本体、设置在本体上的第一引线电极和第二引线电极以及围绕发光器件的模制构件。

附图说明

图1是示出根据第一实施方案的发光器件的截面图。

图2是示出图1的发光器件中的电子阻挡层的截面图。

图3是示出表示图1的发光器件的能带图的视图。

图4是示出图1的发光器件的载流子注入层中的载流子注入的视图。

图5是示出根据第二实施方案的发光器件的截面图。

图6是示出图5的发光器件的能带图的视图。

图7是示出图5的发光器件的载流子注入层中的载流子注入的视图。

图8是示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。

具体实施方式

在实施方案的描述中，应当理解，当一个部件被称作在另一个部件的“上（上方）”或“下（下方）”时，术语“上（上方）”和“下（下方）”包括“直接地”和“间接地”的意思两者。另外，在每个层的“上”和“下”的意思不仅包括向上方向，还包括向下方向。

图1是示出根据第一实施方案的发光器件的截面图。

参照图1，根据第一实施方案的发光器件1可以包括：衬底10、第一导电半导体层12、有源层14、间隔层16、载流子注入层18、电子阻挡层20以及第二导电半导体层22，但实施方案不限于此。

发光结构可以由第一导电半导体层12、有源层14、间隔层16、载流子注入层18、电子阻挡层20以及第二导电半导体层22来形成。

根据实施方案的发光器件1还可以包括设置在衬底10与第一导电半导体层12之间的缓冲层（未示出）。

根据实施方案的发光器件1还可以包括设置在第一导电半导体层12下的和/或设置在第二导电半导体层22上的另外的半导体层（未示出）。

根据实施方案的发光器件1还可以包括设置在缓冲层与第一导电半导体层12之间的未掺杂的半导体层（未示出）。

衬底10容易生长发光结构，然而，实施方案不限于此。

为了稳定地生长发光结构，衬底10可以包括在晶格常数方面与发光结构表现出较小差异的材料。

衬底10可以包括选自蓝宝石（Al₂O₃）、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge中的至少一种。

缓冲层22可以设置在衬底10和发光结构20之间，可以形成缓冲层22以减小衬底10与发光结构之间的晶格常数差。

缓冲层22、未掺杂半导体层、第一导电半导体层12、有源层14、间隔层16、载流子注入层18、电子阻挡层20以及第二导电半导体层22可以包含第II族至第VI族化合物半导体材料。

第一导电半导体层12可以形成在衬底10上。