[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201310487901.3 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN103779385A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 小俣一由;木村裕之;涩沢诚;田畠弘志 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
近年来,活用薄型、轻量、低耗电的特征,以液晶显示装置为代表的平面显示装置的需求急速增长。其中,以便携式信息设备为首,在各种显示器中利用了有源矩阵型显示装置,该有源矩阵型显示装置在各像素上设有像素开关,该像素开关具有将导通像素和非导通像素电分离且保持向导通像素提供的影像信号的功能。
作为这种平面型的有源矩阵型显示装置,使用自发光元件的有机EL显示装置受到关注并进行了积极的研发。有机EL显示装置具有如下特征:无需背光源,能够由高速的响应性进行动画再生,且在低温下亮度不会下降,所以适合在寒冷地区使用。
通常,有机EL显示装置具备沿着多个行、多个列排列设置的多个像素。各像素由作为自发光元件的有机EL元件、以及向有机EL元件供给驱动电流的像素电路构成,通过控制有机EL元件的发光亮度来进行显示动作。
作为像素电路的驱动方式,已知有通过电压信号进行的方式。另外,提出了如下的显示装置,使电压电源进行开关动作,通过切换高低电平并从影像信号布线输出影像信号及初始化信号的双方,从而削减像素的构成元件数量和布线数量,减小像素的布局面积,由此实现高精细化。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利第6,229,506号说明书
专利文献2:日本特开2007-310311号公报
专利文献3:日本特开2011-145622号公报
然而,近年来进一步要求像素的高精细化。当像素的尺寸缩小时,难以将各像素的多个元件配置在预定的区域内。
发明内容
本发明是鉴于以上的问题点而做出的,其目的在于,提供一种高精细的显示装置。
一个实施方式的显示装置具备:
多个半导体层;
第1绝缘膜,设置于所述多个半导体层的上方;
第1导电层,由金属形成,设置于所述第1绝缘膜上;
第2绝缘膜,设置于所述第1绝缘膜及第1导电层上;以及
显示元件,具有设置于所述第2绝缘膜上的第2导电层;
所述第1导电层及第2导电层相互对置,形成电容部。
另外,一个实施方式的显示装置具备:
第1绝缘膜,设置在形成于相互不同的层上的多个半导体层、第1导电层及第2导电层的上方;
第3导电层,设置在所述第1绝缘膜上,与高电位电源及低电位电源的任意一方连接;
第2绝缘膜,设置在所述第1绝缘膜及第3导电层上;以及
显示元件,具有设置在所述第2绝缘膜上的第4导电层;
所述第3导电层及第4导电层相互对置,形成电容部。
附图说明
图1是概略性地表示第1实施方式的显示装置的俯视图。
图2是图1的显示装置的像素的等效电路图。
图3是概略性地表示图1的显示装置所能够采用的结构的一例的局部截面图。
图4是表示上述第1实施方式的显示装置的局部截面图,是表示驱动晶体管、电源线、连接电极、导电层及像素电极的图。
图5是表示上述第1实施方式的显示装置的俯视图,是表示图3及图4所示的导电层的整体概略结构的图。
图6是将上述连接电极及导电层放大表示的俯视图。
图7是表示上述第1实施方式的像素的配置构成的一例的示意图。
图8是表示采用上述第1实施方式的像素的配置构成并将偏置取消动作设为1次时的、扫描线驱动电路的控制信号的时序图。
图9是表示采用上述第1实施方式的像素的配置构成并将偏置取消动作设为2次时的、扫描线驱动电路的控制信号的时序图。
图10是表示上述第1实施方式的显示装置的变形例的局部截面图,是表示驱动晶体管、电源线、连接电极、导电层及像素电极的图。
图11是表示上述第1实施方式的显示装置的其他变形例的局部截面图,是表示驱动晶体管、电源线、导电层及像素电极的图。
图12是第2实施方式的显示装置的像素的等效电路图。
图13是表示上述第2实施方式的显示装置的局部截面图,是表示驱动晶体管、电源线、连接电极、导电层及像素电极的图。
图14是表示上述第2实施方式的显示装置的变形例的局部截面图,是表示驱动晶体管、电源线、连接电极、导电层及像素电极的图。
图15是表示上述第2实施方式的显示装置的其他变形例的局部截面图,是表示驱动晶体管、电源线、导电层及像素电极的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的