[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，其包括：

纳米结构；

设置在所述纳米结构上的第一半导体层；

设置在所述第一半导体层上的有源层；和

设置在所述有源层上的第二导电半导体层；

其中所述纳米结构包括：

设置在所述第一半导体层下方的接触所述第一半导体层的石墨烯层；和

从所述石墨烯层的顶表面沿朝向所述第一半导体层的方向延伸并且接触所述第一半导体层的多个纳米构造物。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括N型半导体层，并且所述纳米结构连接至所述N型半导体层。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括设置在所述纳米结构上的缓冲层和设置在所述缓冲层上的N型半导体层，并且所述纳米构造物接触所述缓冲层和所述N型半导体层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一半导体层的下部通过所述纳米构造物之间的区域接触所述石墨烯层的顶表面。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述纳米构造物包含氧化锌(ZnO)。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其还包括设置在所述纳米结构下方的衬底。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述石墨烯层包括多个开口，并且所述第一半导体层的一部分通过所述石墨烯层的每个开口接触所述衬底的顶表面。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述石墨烯层接触所述衬底的顶表面。

9.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述纳米构造物中的每一个的晶格常数在所述衬底的晶格常数与所述第一半导体层的晶格常数之间。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其还包括在所述第二导电半导体层上的透明导电层和反射层中的至少之一。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括第一导电半导体层，并且电连接至所述纳米结构，并且所述石墨烯层包括透明电极。

12.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述石墨烯层包括彼此间隔开的多个石墨烯图案，并且所述纳米构造物分别设置在所述石墨烯图案上。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述第一半导体层设置在所述石墨烯图案与所述衬底之间，和设置在所述石墨烯图案之间的区域中，接触设置在所述衬底与所述纳米构造物之间的区域下方的所述石墨烯图案。

14.根据权利要求12所述的发光器件，其还包括在所述第一半导体层与所述有源层之间的第一导电半导体层。

15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括缓冲层，并且所述缓冲层接触所述衬底的顶表面、所述石墨烯图案的顶表面以及所述纳米构造物。

16.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述石墨烯图案之间的间隔为0.1μm至100μm。

17.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中每个纳米构造物的宽度为5nm至500nm，并且高度为10nm至3μm。

18.根据权利要求12所述的发光器件，其还包括设置在所述第二导电半导体层上的电极层，

其中设置连接部分以将所述纳米结构的所述石墨烯图案彼此连接，并且

所述纳米构造物包含与构成所述石墨烯图案或所述连接部分的材料不同的材料。

19.根据权利要求18所述的发光器件，其中构成所述连接部分的材料与构成所述石墨烯图案的材料相同。

20.根据权利要求18或19所述的发光器件，其中所述石墨烯图案和所述连接部分电连接至所述第一导电半导体层，其中所述石墨烯图案设置为在垂直方向上对应于所述电极层的彼此不同的区域。