[发明专利]在玻璃基底上制备四氧化三钴纳米薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201310488230.2 申请日: 2013-10-17
公开(公告)号: CN103508496A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 卿小霞;余堃 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院化工材料研究所
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04;B82Y30/00
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 代理人: 刘兴亮
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 玻璃 基底 制备 氧化 纳米 薄膜 方法
【说明书】:

技术领域

发明的实施方式涉及一种在玻璃基底上制备无机材料四氧化三钴(Co3O4)纳米薄膜的方法。

背景技术

四氧化三钴(Co3O4)是一种重要的无机p型半导体金属氧化物,广泛应用于锂离子电池、催化剂、超级电容器、传感器、磁性材料等领域。Co3O4由于来源丰富、价廉易得、化学性质稳定等优点在光催化剂领域有巨大的潜在应用价值。与粉末不同,在玻璃上生长的薄膜在作为光催化材料时具有易于器件化、操作便利、易于回收、不产生二次污染等优点。目前,在玻璃表面制备薄膜常用的方法有:热喷涂法、磁控溅射法、沉淀法、溶胶-凝胶法、溶剂热法等。由于溶剂热反应体系处于临界状态,在溶剂热条件下反应物活性提高,相对于其它制备薄膜的方法来说,用溶剂热法制备薄膜具有很好的可调变性和可操作性,易于控制产物晶体的粒度,利于生长取向好、缺陷少的晶体。目前利用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂、以甲醇与水的混合溶液为溶剂在玻璃上制备前躯体,并经热处理后得到Co3O4纳米薄膜的方法还没有报道。

发明内容

本发明克服了现有技术的不足,提供一种在玻璃基底上制备Co3O4纳米薄膜的方法的实施方式,解决光催化剂领域Co3O4纳米薄膜可控性和可操作性差的问题,实现更有效、更便捷的制备Co3O4纳米薄膜。

为解决上述的技术问题,本发明的一种实施方式采用以下技术方案:

一种在玻璃基底上制备Co3O4纳米薄膜的方法,包括以下步骤:

(1)称量六水合硝酸钴和CTAB,其重量之比为1:2.95~3.00,形成六水合硝酸钴-CTAB混合物,将六水合硝酸钴-CTAB混合物溶解于甲醇-水溶液中形成均一溶液,六水合硝酸钴-CTAB混合物的质量与甲醇-水溶液的体积之比为9.7~9.8:80;所述甲醇-水溶液的甲醇与水体积之比为77:3;

(2)用去离子水、乙醇依次对玻璃基底进行超声洗涤5~30分钟;

(3)移取均一溶液放入高压反应釜的聚四氟乙烯腔体里,再将玻璃基底放入聚四氟乙烯腔体中,180℃下密闭反应3~24小时使玻璃基底上生长前驱体薄膜,自然冷却至室温;

(4)将玻璃基底依次用去离子水和乙醇各冲洗3~6次,然后于80℃干燥5~10小时;

(5)将玻璃基底在250~300℃下煅烧至少6小时后得到Co3O4纳米薄膜。

更进一步的技术方案是:步骤(3)所述移取的均一溶液的填充度为80%,填充度是指移取的均一溶液体积与聚四氟乙烯腔体容积之比。

更进一步的技术方案是:步骤(4)使用的干燥方法为真空干燥箱高温干燥。

与现有技术相比,本发明的有益效果之一是:本发明Co3O4纳米薄膜制备方法使用的试剂均为商业分析纯产品,无需繁琐加工,且所需的原料种类少,成本低,工艺简单,可控性和可操作性高,产物纯度高。

附图说明

图1为本发明在玻璃基底上制备的Co3O4纳米薄膜的X射线衍射(XRD)图。

图2为本发明在玻璃基底上制备的Co3O4纳米薄膜的场发射扫描电镜(FESEM)图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

实施例1

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