[发明专利]制造光导栅格的装置和方法有效
申请号: | 201310488456.2 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN104282699B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 郑允玮;简荣亮;郑易沂;郑志成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 栅格 装置 方法 | ||
1.一种光导栅格,包括:
栅格结构,具有多条交叉栅格线以及用于交叉栅格线之间的光传感器元件的多个开口,每条栅格线都具有宽度w,其中,每个所述光传感器元件设置在微透镜的下方,并且每个所述微透镜向下延伸至所述光传感器元件的顶面下方;
所述栅格结构具有所述多个开口中位于对角方向上的两个相邻开口之间的对角栅格宽度,所述对角栅格宽度的值大于
2.根据权利要求1所述的光导栅格,其中,所述开口具有圆角。
3.根据权利要求1所述的光导栅格,其中,所述宽度w的值介于0.1μm到1μm之间。
4.根据权利要求3所述的光导栅格,其中,所述栅格结构是八边形。
5.根据权利要求1所述的光导栅格,其中,所述光导栅格由金属制成。
6.根据权利要求1所述的光导栅格,其中,所述光导栅格由不透明的介电材料制成。
7.根据权利要求1所述的光导栅格,其中,所述对角栅格宽度大于或等于2w。
8.根据权利要求1所述的光导栅格,其中,所述对角栅格宽度小于或等于3w。
9.一种图像传感器,包括:
滤色器;
微透镜,位于所述滤色器上方,其中,所述微透镜向下延伸至所述滤色器的顶面下方;以及
光导栅格,包括:
栅格结构,具有多条交叉栅格线,每条栅格线都具有宽度w,所述栅格结构具有用于所述交叉栅格线之间的光传感器元件的至少一个开口,所述开口与所述微透镜对准;
所述栅格结构具有所述开口中位于对角方向上的相邻开口之间的对角栅格宽度,所述对角栅格宽度的值大于
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述至少一个开口是八边形。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中,所述至少一个开口具有圆角。
12.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述对角栅格宽度大于或等于2w。
13.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述对角栅格宽度小于或等于3w。
14.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述对角栅格宽度介于到3w之间。
15.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述宽度w的值介于0.1μm到1μm之间。
16.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述光导栅格由厚度介于50nm到500nm之间的金属制成。
17.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述光导栅格由介电材料制成。
18.一种制造具有光导栅格的图像传感器的方法,包括:
在衬底上形成至少一个光传感器元件;
在所述至少一个光传感器元件上方形成栅格,所述栅格具有形成开口的多条交叉栅格线,每条交叉栅格线都具有宽度w,所述栅格具有所述开口位于对角方向上的两个相邻开口之间的对角栅格宽度,所述对角栅格宽度的值大于以及
在所述栅格上方形成滤色器和微透镜,其中,所述微透镜向下延伸至所述滤色器的顶面下方。
19.根据权利要求18所述的方法,其中,形成所述栅格的步骤包括提供具有至少8条边的开口、以及提供所述栅格的开口的圆角。
20.根据权利要求18所述的方法,其中,所述栅格的形成步骤包括在所述微透镜和位于衬底上的所述至少一个光传感器元件之间形成所述多条交叉栅格线。
21.根据权利要求18所述的方法,其中,形成所述栅格的步骤包括在半导体衬底上方形成由金属材料制成的交叉线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的