[发明专利]晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆，其特征在于：该铝浆的组成及重量百分含量：低熔点铝合金60～80%、有机粘结剂10～20%、玻璃粉6～10%、助剂1～10%。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆，其特征在于：所述低熔点铝合金是铝硅合金粉，铝镁合金粉和铝硼合金粉的一种或几种。

3.根据权利要求2所述的一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆，其特征在于：所述铝硅合金粉的组成及其质量百分比称重：80～85%铝和15～20%硅，其熔点在610～650℃；所述铝镁合金粉的组成及其质量百分比称重：75～85%铝和15～25%镁，其熔点590-650℃；所述铝硼合金粉的组成及其质量百分比称重：70～80%铝和20～30%硼，其熔点630～650℃。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆，其特征在于：所述有机粘结剂的组成及其质量百分比称重：10～20%高分子聚合物和80～90%有机溶剂。

5.根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆，其特征在于：所述高分子聚合物为环氧树脂、有机硅树脂、硼改性树脂、二甲苯树脂等中的一种或几种。

6.根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆，其特征在于：所述有机溶剂为松油醇，丁基卡必醇醋酸酯和卵磷脂按2:2:1配比组成。

7.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆，其特征在于：所述玻璃粉的组成及其质量百分比称重：15～20%的B₂O₃、1～3%的SiO₂、10～20%的Bi₂O₃、60～70%的PbO和5～10%的ZnO，经处理得到粒径D90在1～2微米的玻璃粘结剂。

8.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆，其特征在于：所述助剂为导电助剂，该助剂是炭粉或镍粉中的一种或两种的组合。

9.一种如权利要求1所述晶体硅太阳能电池背场局域接触铝浆的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）称取占原料总质量的60～80%的低熔点铝合金、助剂1～10%、玻璃粉6～10%与有机粘结剂10～20%混合，采用分散机在800-1000rpm转速下，分散40～50min后，在三辊研磨机上研磨12遍；

（2）研磨后，加入占原料总量1-5%的有机溶剂，采用高速分散机在1000-2000rpm转速下，分散10-30min,分散均匀，罐装封口待用。