[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310489238.0 申请日: 2013-10-17
公开(公告)号: CN104576949A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 周明杰;冯小明;钟铁涛;王平 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 生启;何平
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及有机电致发光器件领域,特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。

然而,目前有机电致发光器件的阳极层(ITO层)与空穴传输层等有机层之间的功函数差别较大,空穴从阳极层注入到有机层时克服的势垒较大,从而导致空穴注入能力较弱,有机电致发光器件的发光效率较低。

发明内容

基于此,提供一种发光效率高的有机电致发光器件及有机电致发光器件的制备方法。

一种有机电致发光器件,包括导电阳极基底,以及依次层叠在导电阳极基底的阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,所述阳极层的材料为铟锡氧化物,所述空穴注入层的材料为三氟化铁、三氯化钌、三氯化锇或四氧化锇。

在其中一个实施例中,所述空穴注入层的厚度为2nm~15nm。

在其中一个实施例中,所述发光层的材料为磷光材料与主体材料混合而成的混合物,所述磷光材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种,所述主体材料选自(4,4'-二(9-咔唑)联苯)、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的至少一种,所述磷光材料与所述主体材料的质量比为5:100~30:100;或

所述发光层的材料为荧光材料,所述荧光材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、5,6,11,12-四苯基萘并萘、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯,4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯及4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯中的至少一种。

在其中一个实施例中,所述阴极包括层叠于所述电子传输层上的氟化物层及层叠于所述氟化物层表面的金属层,所述氟化物层的材料为CsF或LiF,所述金属层的材料选自Ag、Al、Mg-Al合金及Mg-Ag合金中的至少一种。

在其中一个实施例中,所述氟化物层的厚度为0.5~2nm,所述金属层的厚度为70~200nm

一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:

采用蒸镀技术,在导电阳极基底的阳极层的表面依次层叠蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极,得到有机电致发光器件;其中,所述阳极层的材料为铟锡氧化物,所述空穴注入层的材料为三氟化铁、三氯化钌、三氯化锇或四氧化锇。

在其中一个实施例中,所述空穴注入层的厚度为2nm~15nm。

在其中一个实施例中,所述空穴注入层由真空蒸镀制备,蒸发速度为0.01nm/s~0.5nm/s,真空度为1×10-5~1×10-3Pa。

在其中一个实施例中,蒸镀制备空穴传输层及电子传输层时的真空度为1×10-5~1×10-3Pa,蒸发速度为0.1nm/s~1nm/s。

在其中一个实施例中,所述阴极包括层叠于所述电子传输层上的氟化物层及层叠于所述氟化物层表面的金属层,所述氟化物层的材料为CsF或LiF,所述金属层的材料选自Ag、Al、Mg-Al合金及Mg-Ag合金中的至少一种,蒸镀制备所述阴极时的真空度为1×10-5~1×10-3Pa,蒸镀制备所述氟化物层的蒸发速度为0.01nm/s~0.1nm/s,蒸镀制备所述金属层的蒸发速度为0.1nm/s~2nm/s。

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