[发明专利]一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种沉积氮化硅膜的方法，具体涉及一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法。

背景技术

目前，太阳能电池是将光能转化成电能的一种半导体器件，在制备这种半导体器件的工序中，沉积正面的氮化硅减反射膜是一道重要的工序。氮化硅的沉积为太阳能电池正面提供两个方面的作用：一是降低前表面对太阳光谱的反射，即减反射作用；二是饱和硅的悬挂键，降低表面复合。氮化硅的沉积方式有两种：一种是直接沉积方式，一般采用管式PECVD，这种沉积方式的氮化硅一般能提供较好的表面钝化效果，并且可以沉积双层膜；另一种是间接沉积方式，一般采用板式PECVD，这种沉积方式的氮化硅的表面钝化相对差些，但膜的均匀性较好，且镀膜时间短，产量大。此外，此种沉积方式的膜一般为单层膜，在减反射方面效果稍差。OTB氮化硅沉积设备是板式PECVD，所以其沉积的氮化硅膜的钝化效果相比管式PECVD差，且减反射效果较管式PECVD沉积的双层氮化硅差。因此本技术发明将设计一种使用OTB板式PECVD沉积氮化硅渐变膜的方法，以提高表面的钝化和减反射，进一步提高太阳能电池的效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，提高氮化硅膜的钝化性和减反射特性，进一步提高太阳能电池的效率。

本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，包括5个source源，其特征在于：控制source源的电流，将1号、2号、3号source源的电流设置为85 A～90A；将4号、5号source源的电流设置为95A～100A。

采用本发明设置的电流，其中1号、2号、3号source源沉积的氮化硅膜富含Si；4号、5号source源沉积的氮化硅膜富含H。

本发明的具体方法步骤为硅片在沉积氮化硅时，承载硅片的载板首先经过真空室，然后进入快速加热室、温度稳定后载板进入氮化硅膜沉积室，载板首先经过1号、2号、3号source源，此时硅片沉积一层富含Si的介质钝化膜，此膜层较致密，具有相对高的折射率，且对硅片表面有好的钝化性，提升电池的开路电压；然后载板运行经过4号、5号source源，沉积一层富含H的氮化硅膜，折射率相对低，对太阳能可见光谱有很好的吸收性，降低对光的反射，提升电池的短路电流；沉积完毕后进入快速冷却室，然后出片卸载。

本发明的有益效果是: 将1号、2号、3号source源的电流设置为85 A～90A， 即1号、2号、3号source源沉积的氮化硅膜富含Si，膜层较致密，具有相对高的折射率，且对硅片表面有好的钝化性，提升电池的开路电压；将4号、5号source源的电流设置为95A～100A，即4号、5号source源沉积的氮化硅膜富含H，折射率相对低，对太阳能可见光谱有很好的吸收性，降低对光的反射，提升电池的短路电流；通过梯度电流的方式沉积的氮化硅渐变膜改善了电池表面的应力，在烧结阶段避免了碎片。

附图说明

图1为本发明实施例source源的结构图。

下面结合附图对本发明做进一步说明。

具体实施方式

实施例1：如附图1所示，一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，包括5个source源，将1号、2号、3号source源的电流设置为85 A；将4号、5号source源的电流设置为95A。所述1号、2号、3号source源沉积的氮化硅膜富含Si；所述4号、5号source源沉积的氮化硅膜富含H。

实施例2：另一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，包括5个source源，将1号、2号、3号source源的电流设置为88A；将4号、5号source源的电流设置为97A。其它与实施例1相同。

实施例3：又一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法，包括5个source源，将1号、2号、3号source源的电流设置为90A；将4号、5号source源的电流设置为100A。其它与实施例1相同。