[发明专利]一种压力流量温度集成芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种集成压力、流量、温度等参数测量的微传感芯片及制作方法，主要包括压力传感区域、流量与温度传感区域，其特征在于：首先在基底硅层上方热氧化一层二氧化硅，在压力传感区域二氧化硅层上进行局部掺杂分别形成接触电阻和压敏电阻，再在整个硅片两面都热氧化沉积一层二氧化硅与低压化学气相沉积（LPCVD）一层低应力氮化硅，在流量传感区域用剥离法沉积一层铬和铂图形，在硅片正面压力传感区域局部刻蚀氮化硅和二氧化硅，再沉积一层铝或金膜图形形成整个芯片电极，流量传感区域有部分铬和铂图形为环境温度测量，最后同时进行压力传感薄膜与流量传感薄膜下硅刻蚀。

2.根据权利要求1所述的一种集成压力、流量、温度等参数测量的微传感芯片，其特征在于：低压化学气相沉积氮化硅应力应小于50Mpa，氮化硅厚度在500纳米与2微米之间，二氯硅烷与氨气流量之比为4与8之间，压力在100与300毫托之间，温度在500度与1000度之间。

3.根据权利要求1所述的集成压力、流量、温度等参数测量的微传感芯片，其特征在于：同时进行压力传感薄膜与流量传感薄膜下硅刻蚀。

4.根据权利要求1所述的集成压力、流量、温度等参数测量的微传感芯片，其特征在于：流量传感区域在同一个侧边的两个曲折电阻间距相同，走向相同，相互凹合，两个侧边共4个电阻组成惠斯登测量电桥。