[发明专利]双浅沟槽隔离工艺无效
| 申请号： | 201310491854.X | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103515290A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 黄海辉;杨渝书;秦伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种双浅沟槽隔离工艺，包括：
提供衬底，对所述衬底进行光刻涂胶和显影；
以氮化硅或非定型碳为阻挡层对所述衬底刻蚀形成两个第一道较浅沟槽；
对其中一个第一道较浅沟槽所在区域进行光刻胶填充，并对另一个第一道较浅沟槽所在区域显影；
以光刻胶为阻挡层对另一个第一道较浅沟槽进行进一步刻蚀，形成第二道较深沟槽；
将光刻胶灰化去除并进行化学清洗。
2.如权利要求1所述的双浅沟槽隔离工艺，其特征在于，以氮化硅或非定型碳为硬掩模对所述衬底刻蚀形成两个第一道较浅沟槽步骤中，采用HBr、O2或HBr、O2和SF6作为刻蚀气体。
3.如权利要求1所述的双浅沟槽隔离工艺，其特征在于，采用含有HBr和O2的混合气体进一步刻蚀另一个第一道较浅沟槽，形成第二道较深沟槽。
4.如权利要求1所述的双浅沟槽隔离工艺，其特征在于，以氮化硅为阻挡层对所述衬底刻蚀形成两个第一道较浅沟槽后，进行原位光刻胶去除和酸槽清洗。
5.如权利要求1所述的双浅沟槽隔离工艺，其特征在于，以非定型碳为阻挡层对所述衬底刻蚀形成两个第一道较浅沟槽后，采用光刻胶灰化设备去除所述非定型碳。
6.如权利要求1所述的双浅沟槽隔离工艺，其特征在于，采用KrF光刻设备对所述另一个第一道较浅沟槽所在区域显影。
7.如权利要求6所述的双浅沟槽隔离工艺，其特征在于，所述光刻胶的厚度大于1um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
