[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法无效
| 申请号： | 201310491915.2 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103515291A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干隔离沟槽；
通过SACVD工艺在所述半导体衬底上形成第一氧化层，所述第一氧化层填满所述隔离沟槽；
执行干法回刻蚀工艺，在所述第一氧化层中形成一凹口；
执行氢气钝化工艺；
通过SACVD工艺在所述第一氧化层上形成第二氧化层；以及
平坦化所述第一氧化层和第二氧化层，形成浅沟槽隔离结构。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述干法回刻蚀工艺的工艺参数为：射频功率为500～2000W，H2流量为200～1500sccm，He流量为50～300sccm，NF3流量为100～1000sccm，时间为2～10s。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述氢气钝化工艺的工艺参数为：射频功率为2000～6000W，H2流量为500～2000sccm，工艺时间为5～50s。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底内形成若干隔离沟槽的方法包括：
在半导体衬底上形成刻蚀停止层和硬掩膜层；
刻蚀所述硬掩膜层和刻蚀停止层，形成贯穿所述硬掩膜层和刻蚀停止层厚度的开口，所述开口的形状与隔离沟槽的形状对应；以及
以所述硬掩膜层和刻蚀停止层为掩模，沿开口刻蚀所述半导体衬底，形成若干隔离沟槽。
5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层为氧化硅，所述硬掩膜层为氮化硅。
6.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成隔离沟槽后，还包括：通过热氧化工艺在所述隔离沟槽的底部和侧壁形成衬垫氧化层。
7.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述第一氧化层和第二氧化层之后，利用热磷酸去除所述硬掩膜层。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述第一氧化层和第二氧化层的方法为化学机械研磨工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
