[发明专利]一种高能量离子注入后的去胶方法

权利要求书

1.一种高能量离子注入后的去胶方法，其特征在于，包括： 

晶圆预热阶段：对待去胶的晶圆加热，使其达到后续反应所需的工艺温度； 

表面硬壳去除阶段：采用氢气、氮气形成的混合气作为工艺气体，去除晶圆高能量离子注入后的晶圆上光刻胶表面碳化的硬壳； 

主体光刻胶去除阶段：采用氧气、氢气、氮气形成的混合气为工艺气体，去除晶圆上残余的光刻胶。 

2.如权利要求1所述的高能量离子注入后的去胶方法，其特征在于，在所述晶圆预热阶段中，通过调整晶圆和加热板的接触时间、接触方式及反应条件，并结合缺陷检测机，确定出包括所述工艺温度在内的最佳工艺条件区间。 

3.如权利要求2所述的高能量离子注入后的去胶方法，其特征在于，所述晶圆预热阶段的最佳工艺区间包括：反应压力为1T～3T，反应温度为200℃～300℃，晶圆预热时间为6s～10s。 

4.如权利要求2所述的高能量离子注入后的去胶方法，其特征在于，所述表面硬壳去除阶段中的工艺参数包括：氢气、氮气的混合气中氢气的体积比例为4%～8%，工艺温度为200℃～300℃，反应压力为0.5T～3T，反应功率为500W～3000W。 

5.如权利要求1或3所述的高能量离子注入后的去胶方法，其特征在于，所述表面硬壳去除阶段中的工艺参数包括：反应压力为1T～3T，反应温度为200℃～300℃，反应功率为1000W～2500W，氢气、氮气的混合气的气体流量为1000sccm～5000sccm，反应时间为20s～100s。 

6.如权利要求1所述的高能量离子注入后的去胶方法，其特征在于，所述主体光刻胶去除阶段中的工艺参数包括：氧气的体积比例为50%～90%，氢气的体积比例为2%～20%，氮气的体积比例为20%～50%，工艺温度为200℃～300℃，反应压力为0.5T～3T，反应功率为500W～3000W。 

7.如权利要求1或6所述的高能量离子注入后的去胶方法，其特征在于，所述主体光刻胶去除阶段中的工艺参数包括：反应压力为1T～3T，工艺温度为200℃～300℃，反应功率为1000W～2500W，氧气的气体流量为5000sccm～9000sccm，氢气、氮气的混合气的气体流量分别为1000sccm～5000sccm，反应时间为20s～50s。