[发明专利]一种采用电感补偿技术的超宽带低噪声放大器

权利要求书

1.一种采用电感补偿技术的超宽带低噪声放大器，其特征在于：包括放大单元、反馈单元和输出匹配单元，其中放大单元的输出端直接接反馈单元和输出匹配单元的输入端，反馈单元的输出端接放大单元的输入端；

所述放大单元包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、电阻R1、电容C3和电感L1，其中：

所述MOS管M3源端接电源，栅端接固定偏置电压Vbias，漏端接MOS管M2的源端并和电容C3相接；MOS管M3用作电流源，为放大单元1提供直流偏置；所述电容C3在MOS管M2的源端提供一个交流地；所述电阻R1一端接M2的栅端，并通过电感L1接M1的栅端，R1的另一端接M1和M2的漏端，R1取值较大，为MOS管M1和MOS管M2的自偏置提供直流通路；

所述MOS管M1、MOS管M2和电阻R1组成自偏置反相器的结构，M1的源端接地，通过电流复用，MOS管M1和MOS管M2的跨导均用于信号放大，M1和M2的等效小信号输出电阻的并联值作为放大单元的负载，用于提供电压增益；

所述电感L1串联在MOS管M1的栅端和射频信号输入端之间，通过串联谐振，M1栅端的电压在谐振频率前随着频率增长而增大，进而补偿了原本随着频率增长而下降的电压增益；

所述反馈单元包括MOS管M4、MOS管M5、电阻R2和电容C2，其中：

所述MOS管M5源端接电源，栅端接固定偏置电压Vbias，漏端接M4的源端，用于提供电流偏置；所述MOS管M4栅端接放大单元1的输出，漏端接地，其源端接隔直电容C2，电容C2的另一端接电阻R2，R2的另一端接射频信号输入端，通过M4的跨导和电阻R2的组合为放大器提供50欧姆的输入匹配。

2.根据权利要求1所述的采用电感补偿技术的超宽带低噪声放大器，其特征在于:所述输出匹配单元3包括MOS管M6、MOS管M7，其中：

所述MOS管M7源端接电源，栅端接固定偏置电压Vbias，漏端接M6的源端，用于提供电流偏置；所述MOS管M6漏端接地，栅端接放大单元1的输出，源端接负载，通过调整M6的跨导，输出匹配单元提供良好的输出匹配。

3.根据权利要求1所述的采用电感补偿技术的超宽带低噪声放大器，其特征在于:对于所述低噪声放大器后直接接混频器等片上容性负载的情况，可直接将输出匹配单元去掉。