[发明专利]用于测量晶体管的特性的电压检测电路和方法

权利要求书

1.一种电压检测电路，包括：

晶体管；

耦合到所述晶体管的开关，其中所述开关的第一端耦合到所述晶体管的漏极端子；

第一驱动器，其与驱动所述晶体管的栅极端子的第二驱动器同步地控制所述开关；以及

第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器的第一端与所述第二电阻器的第一端串联耦合，

其中，所述第二电阻器的第二端耦合到所述开关的与所述第一端相对的第二端，并且所述第一电阻器的第二端接地。

2.根据权利要求1所述的电压检测电路，

其中，所述晶体管是场效应晶体管，金属氧化物半导体晶体管，双极晶体管，GaN-高电子迁移率晶体管，或所述场效应晶体管、所述金属氧化物半导体晶体管、所述双极晶体管和所述GaN-高电子迁移率晶体管的复合类型晶体管。

3.根据权利要求2所述的电压检测电路，

其中，所述开关是场效应晶体管或双极晶体管，并且具有等于或高于所述晶体管的击穿电压的击穿电压。

4.一种用于测量晶体管的特性的方法，包括：

在所述晶体管周围布置开关、第一驱动器、第二驱动器、第一电阻器和第二电阻器，所述开关耦合到所述晶体管，所述开关的第一端耦合到所述晶体管的漏极端子，所述第一驱动器与驱动所述晶体管的栅极端子的所述第二驱动器同步地控制所述开关，所述第一电阻器的第一端与所述第二电阻器的第一端串联耦合，所述第二电阻器的第二端耦合到所述开关的与所述第一端相对的第二端，并且所述第一电阻器的第二端接地；

同时接通和断开所述第一驱动器和所述第二驱动器；以及

通过测量所述第一电阻器和所述第二电阻器的连接点的电压来计算所述晶体管的漏极电压。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中，所述第一电阻器和所述第二电阻器的所述连接点直接耦合到示波器的输入。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括：

与所述第一电阻器和所述第二电阻器的所述连接点的电压同时地测量所述晶体管的接通电流；以及

基于所述第一电阻器和所述第二电阻器的所述连接点的电压和所述接通电流来计算所述晶体管的导通电阻。