[发明专利]硅转接板结构及其圆片级制作方法

权利要求书

1.一种硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；

S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；

S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；

S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；

S5：最后划片形成独立的硅转接板。

2.根据权利要求1所述的硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于：所述上通孔的纵截面为倒梯形；所述下通孔的纵截面为梯形。

3.根据权利要求2所述的硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于：所述上通孔的侧壁与所述凹槽底部所在平面的夹角为54.7度，所述下通孔的侧壁与所述凹槽底部所在平面的夹角为54.7度。

4.根据权利要求1所述的硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于：所述硅通孔的横截面为矩形或正方形。

5.根据权利要求4所述的硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于：于所述步骤S4中，所述通孔金属层为覆盖满所述通孔四个侧壁表面的金属层，或所述通孔金属层为分布于所述硅通孔其中一个侧壁表面的至少一根金属线，或所述通孔金属层为分布于所述硅通孔至少两个侧壁表面的至少两根分立的金属线。

6.根据权利要求1所述的硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于：所述硅圆片为双面抛光的（100）晶面硅片。

7.根据权利要求6所述的硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于：采用第一腐蚀掩模形成所述凹槽，光刻形成所述第一腐蚀掩模时将第一光掩模板的图形边界与所述（100）晶面硅片的<110>晶向对齐；采用第二腐蚀掩模形成所述硅通孔，光刻形成所述第二腐蚀掩模时将第二光掩模板的图形边界与所述（100）晶面硅片的<110>晶向对齐。

8.根据权利要求1所述的硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于：于所述步骤S3中，在形成所述通孔介质层时，同时在所述凹槽表面形成凹槽介质层；于所述步骤S4中，在形成通孔金属层时，同时在所述凹槽介质层表面形成金属重布线层及金属焊盘。

9.根据权利要求1所述的硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于：于所述步骤S1及步骤S2中，所述湿法腐蚀均采用硅的各向异性腐蚀液。

10.根据权利要求1所述的硅转接板结构的圆片级制作方法，其特征在于：所述凹槽具有倾斜侧壁。

11.一种硅转接板结构，包括：

硅圆片；

上下分布的至少一对凹槽，分别形成于所述硅圆片正面及背面；一对凹槽共用凹槽底部；

形成于所述凹槽底部中的至少一个硅通孔；

形成于所述硅通孔侧壁表面的通孔介质层；

及形成于所述通孔介质层表面的通孔金属层；

其特征在于：

所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁。

12.根据权利要求1所述的硅转接板结构，其特征在于：所述通孔金属层为覆盖满所述通孔四个侧壁表面的金属层，或所述通孔金属层为分布于所述硅通孔其中一个侧壁表面的至少一根金属线，或所述通孔金属层为分布于所述硅通孔至少两个侧壁表面的至少两根分立的金属线。