[发明专利]三维AMRMEMS三轴磁力计结构以及磁力计有效
| 申请号： | 201310492897.X | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103528575B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01C17/32 | 分类号： | G01C17/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 amrmems 磁力计 结构 以及 | ||
1.一种三维AMR MEMS三轴磁力计结构，其特征在于包括：
布置在预定平面的NiFe各向异性磁阻材料膜层，所述各向异性磁阻材料膜层形成三轴磁力计结构的X轴和Y轴；在各向异性磁阻材料膜层上形成电极作为barber电极；
氧化物沟槽，所述氧化物沟槽的侧壁与所述预定平面垂直；
布置在所述氧化物沟槽的与电极部件的长度方向平行的两个侧壁上的各向异性磁阻材料，所述各向异性磁阻材料形成三轴磁力计结构的Z轴；
在所述电极部件的一侧形成有多个所述氧化物沟槽，多个所述氧化物沟槽沿着所述电极部件的长度方向排布。
2.根据权利要求1所述的三维AMR MEMS三轴磁力计结构，其特征在于，相邻的所述氧化物沟槽之间的所述电极部件的一端相连，也可根据实际电路需要设计。
3.根据权利要求1或2所述的三维AMR MEMS三轴磁力计结构，其特征在于，所述电极部件的材料为铝。
4.根据权利要求1或2所述的三维AMR MEMS三轴磁力计结构，其特征在于，所述各向异性磁阻材料膜层和各向异性磁阻材料具有相同材料。
5.根据权利要求1或2所述的三维AMR MEMS三轴磁力计结构，其特征在于，所述各向异性磁阻材料膜层是FeNi膜层。
6.根据权利要求1或2所述的三维AMR MEMS三轴磁力计结构，其特征在于，所述各向异性磁阻材料是FeNi。
7.根据权利要求1或2所述的三维AMR MEMS三轴磁力计结构，其特征在于，所述电极部件是Barber电极。
8.一种具有根据权利要求1或2所述的三维AMR MEMS三轴磁力计结构的三维AMR MEMS三轴磁力计。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310492897.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种废旧塑料薄膜杂质分离机
- 下一篇：一种用于圆筒过滤器的搅拌器
