[发明专利]电压可控的多级直流电路有效

专利信息
申请号: 201310493145.5 申请日: 2013-10-18
公开(公告)号: CN103595254A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 渠浩;杨喜军 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M7/25
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 郭国中
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电压 可控 多级 直流 电路
【权利要求书】:

1.一种电压可控的多级直流电路,其特征在于包括整流电路和逆变电路,其中整流电路输入为两路交流方波电压,输出一路直流电压;逆变电路输入直流电压,通过高频隔离变压器输出两路频率可调的交流电压,为后级整流电路供电;

所述的整流电路包括至少六只整流单元和一只续流单元,其中:

第一整流单元包括第一二极管、第一电解电容和第一逆导开关,其中第一二极管的阴极与第一电解电容的正极相连后与第二整流单元的第二二极管的阳极相连,第一二极管的阳极与第一交流电源相连,第一电解电容的负极与第一逆导开关中MOSFET源极接地,第一逆导开关中MOSFET漏极相连,第一逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管;

第二整流单元包括第二二极管、第二电解电容和第二逆导开关,其中第二二极管的阴极与第二电解电容的正极相连后与第三整流单元的第三二极管的阳极相连,第二电解电容的负极与第二逆导开关中MOSFET源极相连,第二逆导开关中MOSFET漏极与第二交流电源相连,第二逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管;

第三整流单元包括第三二极管、第三电解电容和第三逆导开关,其中第三二极管的阴极与第三电解电容的正极相连后与第四整流单元的第四二极管的阳极相连,第三电解电容的负极与第三逆导开关中MOSFET源极相连,第三逆导开关中MOSFET漏极接地,第三逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管;

第四整流单元包括第四二极管、第四电解电容和第四逆导开关,其中第四二极管的阴极与第四电解电容的正极相连后与第五整流单元的第五二极管的阳极相连,第四电解电容的负极与第四逆导开关中MOSFET源极相连,第四逆导开关中MOSFET漏极与第二交流电源相连,第四逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管;

第五整流单元包括第五二极管、第五电解电容和第五逆导开关,其中第五二极管的阴极与第五电解电容的正极相连后与第六整流单元的第六二极管的阳极相连,第五电解电容的负极与第五逆导开关中MOSFET源极相连,第五逆导开关中MOSFET漏极接地,第五逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管;

第六整流单元包括第六二极管、第六电解电容和第六逆导开关,其中第六二极管的阴极与第六电解电容的正极相连后与续流单元中的第七二极管的阴极相连,形成输出正极,第六电解电容的负极与第六逆导开关中MOSFET源极相连,形成输出负极,第六逆导开关中MOSFET漏极与第二交流电源相连,第六逆导开关中MOSFET本身内置反并联二极管;

续流单元包括第七二极管,其中第七二极管的阴极形成输出正极,其阳极形成输出负极。

2.根据权利要求1所述的电压可控的多级直流电路,其特征在于所述的逆变电路包括第七电解电容、一只电压源逆变器和一只高频变压器,其中第七电解电容的正极与负极分别与输入第一直流电源的正极与负极相连,并与电压源逆变器输入端相连,电压源逆变器输入端与高频变压器初级绕组的两端相连;高频变压器两个次级绕组带有共用抽头,抽头接地,另外两个端子T1与T2分别与后级整流电路的两个输入端分别相连,输出第一交流电源和第二交流电源。

3.根据权利要求1或2所述的电压可控的多级直流电路,其特征在于当后级整流单元工作时,只要不影响前级整流单元,中间至少隔一级,前后级整流单元可以同时工作。

4.根据权利要求1或2所述的电压可控的多级直流电路,其特征在于采用六只以上的整流单元时,增加的第七及以上整流单元结构以及连接与上述的第一~第六整流单元相同。

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