[发明专利]一种OLED器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310494293.9 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103715359A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 邱勇;张国辉;董艳波;王静;段炼;胡永岚 | 申请（专利权）人： | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 朱振德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED器件，包括基板、第一电极、有机功能层和第二电极，其特征在于，所述有机功能层中设有栅格，所述栅格将所述有机功能层的至少一部分分隔成多个区域；所述第二电极外侧还设有封装层。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述栅格将整个有机功能层分隔成多个区域。
3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，被所述栅格所分隔的有机功能层的每个区域呈多边形。
4.根据权利要求3所述的OLED器件，其特征在于，所述有机功能层的每个区域呈正方形或正六边形。
5.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述栅格的横截面呈矩形或梯形。
6.根据权利要求3、4或5所述的OLED器件，其特征在于，所述栅格形成的多边形的边长为5~120微米，栅格本身的宽度为1-50 微米。
7.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述栅格的材料为无机氮化物、氧化物、氯化物或碳化物。
8.根据权利要求7所述的OLED器件，其特征在于，所述栅格的材料为SiNX、SiOX、Al2O3、SiC或MgF2。
9.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第二电极具有与所述栅格相适应的凹凸结构。
10.一种OLED器件的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上制备第一电极；
在所述第一电极上制备栅格，所述栅格将所述第一电极上的空间围构成多个区域；
在所述栅格基础上制备有机功能层；
在所述有机功能层上制备第二电极；
在所述第二电极外侧制作封装层，形成封装。
11.根据权利要求10所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，在所述栅格基础上制备有机功能层时，只在所述栅格围构成的区域内制备；或者在所述第一电极及栅格上方的整个空间内制备所述有机功能层，使有机功能层覆盖住所述所述第一电极及栅格。
12.根据权利要求10所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，制备所述第二电极时，所述第二电极形成与所述栅格相适应的凹凸结构。
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