[发明专利]一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法有效
申请号: | 201310494767.X | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103556120A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 黄信二 | 申请(专利权)人: | 研创应用材料(赣州)有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06;B32B15/04;B32B9/04 |
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地址: | 341000 江西省赣州*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 新型 铜合金 材料 薄膜 方法 | ||
1.一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法,铜合金材料层从下至上依次为导电氧化铟锡薄膜层或导电氧化铟锌薄膜层、纯铜、纯铝或者纯银薄膜层、铜合金薄膜层;其特征在于:导电氧化铟锡薄膜层的材料中氧化锡质量分数含量为3-45%,余量为氧化铟,导电氧化铟锌薄膜层的材料中氧化锌质量分数含量为5-45%,余量为氧化铟;将上述原料分别使用氧化锆球、纯水及分散剂羧酸盐类研磨充分混合,研磨时间24小时,然后将浆料灌入的多孔性模具中,经过干燥后脱膜形成三元氧化物混合的低密度胚体,然后经过1400-1550℃的高温烧结,即能形成溅镀用高密度靶材胚体,经切割与表面研磨成氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)靶材;
采用多层结构设计,首先在玻璃或可挠性PET基板上先溅镀15-150nm的氧化铟锡或者氧化铟锌薄膜,接着溅镀15-500nm的纯铜、纯铝、或者纯银薄膜,最后在溅镀10-100nm的铜合金薄膜,形成多层堆栈结构的薄膜,使得薄膜在<150℃状态下溅镀成膜。
2.根据权利要求1所述的一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法,其特征在于:铜合金由镍质量分数含量10-49wt%、锆质量分数含量0-1.0 wt%、铬含量0-1.0 wt%、纯钛质量分数含量0-1.0 wt%、余量为铜组成。
3.根据权利要求1所述的一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法,其特征在于:所述溅镀用纯铜靶材或铜合金靶材的制备,使用周波炉,在1200℃溶解纯铜或铜合金颗料,然后浇注在铸铁模具中,机加工所需尺寸的靶材备用。
4.根据权利要求1所述的一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法,其特征在于:所述溅镀用纯银靶材,使用周波炉,在1100℃溶解纯银,然后浇注在铸铁模具中,机加工所需尺寸的靶材备用。
5.根据权利要求1所述的一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法,其特征在于:所述溅镀用纯铝靶材,使用周波炉,在800℃溶解纯铝,然后浇注在铸铁模具中,机加工所需尺寸的靶材备用。
6.根据权利要求1所述的一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法,其特征是其溅镀过程为:首先将玻璃或PET基板、纯铜靶材,铜合金及氧化铟锡或者氧化铟锌靶材放入真空溅镀机中,真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10-5-0.9×10-5 torr后,利用氩气当作工作气体,透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为3×10-3torr,玻璃基板或者PET基板不加热,然后进行溅镀。
7.根据权利要求1所述的一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法,其特征是导电氧化铟锡材料中优选含量为:氧化锡质量分数含量为5-30%,余量为氧化铟。
8.根据权利要求1所述的一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法,其特征是导电氧化铟锌材料中还优选含量为:氧化锌质量分数含量为10-30%,余量为氧化铟。
9.根据权利要求1所述的一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法,其特征是质量比为:导电氧化铟锡材料: 氧化锆球:纯水:分散剂=1:3:0.25:0.02。
10.根据权利要求1所述的一种制备新型铜合金材料层及薄膜的方法,其特征是中间导电层选择纯铜、纯银及纯铝。
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