[发明专利]一种柔性多结GaAs太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201310495976.6 | 申请日: | 2013-10-22 |
公开(公告)号: | CN103594539A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 李俊承;杨凯;白继峰;许杰林;吴洪清;张永;蔡建九;方天足;张银桥;王向武 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/06 | 分类号: | H01L31/06;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 gaas 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.柔性多结GaAs太阳电池太阳能电池,其特征在于包括柔性衬底、上电极、下电极和由底电池、中电池、顶电池构成的电池外延结构,所述柔性衬底设置在电池外延结构的底电池背面,所述下电极设置在柔性衬底的另一面,在电池外延结构的顶电池上面设置两个上电极,在所述两个上电极之间设置减反射膜。
2.一种如权利要求1所述柔性多结GaAs太阳电池的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)准备柔性衬底:
先在第二衬底N性GaAs上采用旋涂方法涂覆聚酰亚胺层;
然后在聚酰亚胺层上面涂覆光刻胶,再将半制品曝光、显影、冲水后,用KOH水溶液对聚酰亚胺层进行腐蚀,以在聚酰亚胺涂层上面制作出了图形通孔;
再将在聚酰亚胺涂层上面制作出了图形通孔的制品经120℃~230℃固化后降温,取得形状态稳定的、具有图形通孔的柔性衬底;
在形状态稳定的、具有图形通孔的柔性衬底上面,采用电子束蒸镀方法填充入金属层,使金属布满整个聚酰亚胺涂层外表面;
2)准备同样键合金属的由底电池、中电池和顶电池构成的电池外延结构,并在顶电池外侧制作第一电池衬底;
3)在电池外延结构的底电池背部,依次通过蒸镀Ti、Pt和Au层,将电池外延结构与布满整个聚酰亚胺涂层外表面的金属层键合;
4)在键合后的金属层表面采用PECVD方法沉积Si3N4,再采用碱性腐蚀液去除电池外延结构上的第一电池衬底;
5)在电池外延结构的顶电池上完成两个上电极和减反射膜的制作,取得芯片;
6)将制成的芯片采用光刻胶在第二衬底上粘结Si片,然后再以碱性腐蚀液去除第二衬底。
3.根据权利要求2所述柔性多结GaAs太阳电池的制备方法,其特征在于所述步骤1)中,涂覆的聚酰亚胺层厚度为50~120μm。
4.根据权利要求2或3所述柔性多结GaAs太阳电池的制备方法,其特征在于在所述步骤1)中,先以5000转/min的速度将粘度为1800~2000cp的聚酰亚胺涂覆在第二衬底100层上面,形成基底膜,然后再以1000转/min的速度将粘度为5000~6000cp的聚酰亚胺涂覆在有基底膜的基板上。
5.根据权利要求2所述柔性多结GaAs太阳电池的制备方法,其特征在于在所述步骤1)中,在聚酰亚胺层以5000转/min的速度涂覆光刻胶;在显影时,使用质量百分比为4%的KOH水溶液、在20~25℃环境温度下显影1min的显影;腐蚀用的KOH水溶液的质量百分比为的3%。
6.根据权利要求2所述柔性多结GaAs太阳电池的制备方法,其特征在于在所述步骤1)中,所述固化和降温是:先在温度为120℃的环境下烘烤1小时,然后将温度均匀地提升到150℃后,恒温再烘烤1小时,再将温度提升到230℃并保持一个小时后降温,降温的过程分为两个阶段,第一阶段,在一个小时内,将温度由230℃降低到150℃,第二阶段,用一个小时,将温度由150℃降低到初始的120℃。
7.根据权利要求2所述柔性多结GaAs太阳电池的制备方法,其特征在于在所述步骤1)中,聚酰亚胺涂层表面进行电子束蒸镀方法的方法是:蒸镀第一层为AuGe,厚度为1800埃;蒸镀第二层为Au,厚度为1000埃;蒸镀第三层为Ti,厚度为200埃;蒸镀第四层为Au厚度约为15μm。
8.根据权利要求2所述柔性多结GaAs太阳电池的制备方法,其特征在于在所述步骤3)中,蒸镀的金属Ti的厚度为1000埃,蒸镀的金属Pt的厚度为1200埃,蒸镀的金属Au的厚度为6000埃。
9.根据权利要求2所述柔性多结GaAs太阳电池的制备方法,其特征在于在所述步骤3)中,所述碱性腐蚀液采用NH4OH与H2O2按体积比为1:5的比例混合制成。
10.根据权利要求2所述柔性多结GaAs太阳电池的制备方法,其特征在于在所述步骤4)中,上电极材料采用AuGe/Au/Ag/Au制成,厚度分别为1500埃、1000埃、30000埃、和500埃;减反射膜为依次蒸镀厚度为500埃的TiO2和800埃的Al2O3的双层膜结构。
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