[发明专利]一种纳米陶瓷的制备方法及纳米陶瓷无效
| 申请号： | 201310496034.X | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN104556981A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 秦宏佳 | 申请（专利权）人： | 大连市沙河口区中小微企业服务中心 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 116000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种纳米陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括以下步骤：
（1）原料配比：按照以下成分及重量比配比纳米原料粉体：氧化铝30-40份，氧化镧30-40份，氧化锆20-30份；
（2）真空热处理：将上述步骤（1）所配比的纳米原料粉体在真空环境下升温到600-1500℃，保温1-4小时，然后冷却至室温；
（3）快速无压烧结：将上述步骤（2）所获得的粉体进行无压烧结，即在温度500-800℃，烧结速率为100-200K/min的条件下，保温2-4小时，后降温取出。
2.根据权利要求1所述的纳米陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的制备方法中按照以下成分以下重量比配比纳米原料粉体：氧化铝30份，氧化镧40份，氧化锆30份。
3.根据权利要求1所述的纳米陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的制备方法中真空热处理的升温温度为1000℃。
4.根据权利要求1所述的纳米陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的制备方法中真空热处理的保温时间为3小时。
5.根据权利要求1所述的纳米陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的制备方法中快速无压烧结的温度为700℃。
6.根据权利要求1所述的纳米陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的制备方法中快速无压烧结的烧结速率为200K/min。
7.根据权利要求1所述的纳米陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的制备方法中快速无压烧结的保温时间为3小时。
8.一种纳米陶瓷，其特征在于：所述的纳米陶瓷是通过权利要求1-7任一项所述的方法制备得到的。
9.根据权利要求8所述的纳米陶瓷，其特征在于：所述的纳米陶瓷的粒径为100-120nm。
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