[发明专利]一种台阶型发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种台阶型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：

（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层、第二底透明导电层；

（2）在第二底透明导电层的第二区域上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；

（3）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层、第二顶透明导电层；

（4）在第二底透明导电层的第一区域上以及第二顶透明导电层上形成底电极和顶电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

其中，步骤（1）的工艺具体为：先在衬底上淀积透明导电材料，然后经过光刻、刻蚀工艺，从而在透明导电材料上形成凹槽，以此形成第一底透明导电层，此后采用化学腐蚀工艺对第一底透明导电层的表面进行腐蚀，从而在第一底透明导电层表面形成一定厚度的底粗化层，接着在底粗化层上淀积透明导电材料，经过平坦化后形成第二底透明导电层；

其中，步骤（3）的工艺为：在n型半导体层上淀积平坦的透明导电材料，然后经光刻、刻蚀后形成具有凸起的第一顶透明导电层，此后对第一顶透明导电层的表面进行化学腐蚀，从而在第一顶透明导电层的表面形成一定厚度的顶粗化层，接着在顶粗化层上淀积透明导电材料，经平坦化后形成第二顶透明导电层。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

第二底透明导电层和第一顶透明导电层分别具有凸块，从截面上看，所述第二底透明导电层和第一顶透明导电层的外形与方波相同；并且第二底透明导电层凸块的边缘与第一顶透明导电层凸块的边缘对齐。

4.如权利要求1-3之一的方法，其特征在于：

第二底透明导电层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；同样的，第一顶透明导电层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；

第二底透明导电层凸块的宽度与第二底透明导电层上两个凸块之间的距离相同，第一顶透明导电层凸块的宽度与第一顶透明导电层上两个凸块之间的距离也相同。

5.如权利要求1-3之一的方法，其特征在于：

第二底透明导电层凸块的宽度与第二底透明导电层上两个凸块之间的距离不同；例如凸块宽度为凸块之间距离的1.5-2倍；

第一顶透明导电层凸块的宽度与第一顶透明导电层上两个凸块之间的距离也不同，例如凸块宽度为凸块之间距离的1.5-2倍。