[发明专利]通孔与下层金属线对准偏差的检测方法有效
申请号: | 201310496439.3 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103515265A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 下层 金属线 对准 偏差 检测 方法 | ||
1.一种通孔与下层金属线对准偏差的检测方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S01,于晶圆上分别布置与切割线平行的第一金属线和第二金属线,所述第一金属线和第二金属线具有沿竖直方向以定值t递增或递减的n条凸起金属线,其中,n为大于2的整数;所述第一金属线与第二金属线呈中心对称且互不相连;
步骤S02,扫描位于所述第一金属线和第二金属线之间并与所述凸起金属线一一对应的通孔,以获得所述通孔的影像数据,其中,所述凸起金属线与通孔相连时扫描结果显示为亮,所述凸起金属线与通孔不相连时扫描结果显示为暗;
步骤S03,将所述通孔的影像数据与无对准偏差的标准影像数据进行对比,以检测出所述通孔与下层金属线的对准偏差,其中,所述无对准偏差的标准影像数据为所述第一金属线和第二金属线的最长凸起金属线与通孔相连,其他凸起金属线与通孔不相连时的扫描结果。
2.根据权利要求1所述的一种通孔与下层金属线对准偏差的检测方法,其特征在于,所述第一金属线和第二金属线还分别连接有一P型离子井和金属钨接触孔的器件,其中,所述第一金属线和第二金属线是与所述P型离子井和金属钨接触孔器件上的接触孔相连。
3.根据权利要求1所述的一种通孔与下层金属线对准偏差的检测方法,其特征在于,所述通孔的影像数据是通过扫描式电子显微镜扫描所述通孔实现的。
4.根据权利要求1所述的一种通孔与下层金属线对准偏差的检测方法,其特征在于,所述通孔与下层金属线的对准偏差包括正X方向上的对准偏差和负X方向上的对准偏差。其中,所述对准偏差是正X方向还是负X方向是由所述第一金属线和第二金属线的最长凸起金属线所对应的通孔的亮暗变化来确定。
5.根据权利要求1所述的一种通孔与下层金属线对准偏差的检测方法,其特征在于,所述凸起金属线的宽度范围为10nm~50nm。
6.根据权利要求1所述的一种通孔与下层金属线对准偏差的检测方法,其特征在于,所述定值t的范围为1~30nm。
7.根据权利要求1所述的一种通孔与下层金属线对准偏差的检测方法,其特征在于,所述通孔的影像数据与无对准偏差的标准影像数据进行对比,以计算出所述有亮暗变化通孔的数量k。
8.根据权利要求8所述的一种通孔与下层金属线对准偏差的检测方法,其特征在于,当k为小于2的整数时,所述的通孔对准偏差为0;当k为大于或等于2的整数时,所述的通孔与下层金属线对准偏差为(k-1)*t。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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