[发明专利]一种发光二极管打线电极的制造方法

说明书

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，特别涉及一种发光二极管打线电极的制造方法。

背景技术

半导体发光二极管(Light Emitting Diode)应用日益广泛，特别是在照明方面有取代白炽灯和荧光灯的趋势。发光二极管是由半导体材料所制成的发光元件，元件具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的电流，经由电子电洞的结合可将剩余能量以光的形式激发释出，此即发光二极管的基本发光原理。发光二极管不同于一般白炽灯泡，发光二极管是属冷发光，具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用上的需求制成极小或阵列式的元件，目前发光二极管已普遍使用于资讯、通讯及消费性电子产品的指示器与显示装置上，成为日常生活中不可或缺的重要元件。

发光二极管芯片的常规结构包括一个在通电后产生光辐射的半导体发光结构，以及此半导体结构与外界电源相连的电极。发光二极管芯片设计的重点在于提高半导体结构的光辐射效率以及提高半导体结构与外界电源的连接质量。

中国专利公开文献CN102214625A公开了一种发光二极管的电极结构，这种结构通过将电极的表面粗糙化，从而在打线时增强引线与电极的附着力，今儿提高发光二极管芯片与外界电源的连接质量。这种电极结构虽然能够在一定程度上增加电极的连接质量，但是由于电极为平面电极，因此打线后，引线与电极的连接仍然局限于电极的平面范围，因此其引线与电极的结合力仍然无法大幅度的提高，存在脱线的可能，从而影响发光二极管的质量。

发明内容

本发明针对现有技术的问题，提出了一种大幅度增强电极与引线结合力的电极的制造方法。

首先对本发明所采用的“上”、“下”进行定义，在本发明中，通过参照附图，本发明所述的“上”为附图中面向附图时垂直向上的方向。本发明所述的“下”为附图中面向附图时垂直向下的方向，本文所述的“高度”是指面向附图时垂直方向上的距离。

本发明提出的发光二极管打线电极的制造方法依次包括如下步骤：

（1）自下而上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；

（2）在n型半导体层上形成透明的平坦电极；

（3）在平坦电极上蒸镀合金金属层；

（4）对合金金属层进行光刻、刻蚀工艺，从而将合金金属层形成为凸块电极；

（5）对凸块电极的上表面以及所有侧表面进行粗化处理，从而形成凸块粗化电极；

其中，凸块粗化电极包括一个第一凸块粗化电极，多个第二凸块和多个第三凸块粗化电极；

其中，第一凸块粗化电极位于发光二极管打线电极的中心，多个第二凸块粗化电极位于以第一凸块粗化电极为中心的相互垂直的交叉线上，从而与第一凸块粗化电极形成十字形；多个第三凸块粗化电极位于正方形的发光二极管打线电极的四个角落；

其中，第一凸块粗化电极和多个第三凸块粗化电极的俯视平面形状为正方形，第一凸块粗化电极边长为第三凸块粗化电极边长的两倍；多个第二凸块粗化电极的俯视平面形状为长方形，其长等于第一凸块粗化电极的边长，其宽等于第三凸块粗化电极的边长；

其中，第一凸块粗化电极、第二凸块粗化电极、第三凸块粗化电极的高度相同。

附图说明

图1-5为本发明提出的发光二极管打线电极制造方法的示意图。

具体实施方式

参见图1-5来介绍本发明提出的发光二极管打线电极的制造方法。

参见图1-2，发光二极管打线电极的制造方法包括如下步骤：

（1）自下而上依次形成p型半导体层100、半导体发光层200和n型半导体层300；

（2）在n型半导体层300上形成透明的平坦电极10；

（3）在平坦电极10上蒸镀金属合金层；

（4）对合金金属层进行光刻、刻蚀工艺，从而将金属合金层形成为凸块电极20；

（5）对凸块电极20的上表面以及所有侧表面进行粗化处理，从而形成凸块粗化电极201

参见图3，该图3示出了发光二极管打线电极制造方法所制得的电极的俯视图；在该图中，阴影部分表示电极被粗化的表面；其中，最大的正方形为平坦电极10，在平坦电极10的正方形内具有多个矩形小块电极，这些矩形小块电极即为凸块粗化电极201；