[发明专利]具有肖特基源LDMOS的半导体器件及制造方法有效

申请号：	201310497151.8	申请日：	2013-10-21
公开（公告）号：	CN103500757B	公开（公告）日：	2017-03-08
发明（设计）人：	李瑞钢;赵一兵;张耀辉;吴菲	申请（专利权）人：	苏州智瑞佳电子技术有限公司
主分类号：	H01L29/47	分类号：	H01L29/47;H01L21/28
代理公司：	苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙)32239	代理人：	丁秀华
地址：	215123 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	具有肖特基源 ldmos 半导体器件制造方法
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【权利要求书】：

1.一种具有肖特基源LDMOS的半导体器件，其特征在于其包括：重掺杂P型衬底或P+衬底、在重掺杂P型衬底或P+衬底上生长的P阱/外延、形成在P阱/外延中的P型扩散区、形成在P阱/外延中且与P型扩散区保持间隔的N阱/LDD、以及穿过P型扩散区并伸入到重掺杂P型衬底或P+衬底且与P型扩散区形成肖特基结的金属源极。

2.根据权利要求1所述的一种具有肖特基源LDMOS的半导体器件，其特征在于：其进一步包括形成在P阱/外延中且与金属源极相邻的栅极、形成在P阱/外延中且与N阱/LDD相接的漏极。

3.根据权利要求2所述的一种具有肖特基源LDMOS的半导体器件，其特征在于：所述金属源极的功函数与P型硅的费米能级差大于0.6V。

4.根据权利要求3所述的一种具有肖特基源LDMOS的半导体器件，其特征在于：所述金属源极采用Tb材料、或Er材料、或Yb材料。

5.一种具有肖特基源LDMOS的半导体器件制造方法，其特征在于其包括如下步骤：

在金属硅化物栅极形成后，利用化学气相淀积方法在表面形成二氧化硅介质；

在二氧化硅介质表面涂光刻胶，利用光刻定义源极挖槽区域窗口；

利用选择性等离子体刻蚀二氧化硅介质，以光刻胶做掩膜刻出源极挖槽区域窗口；

经过强氧化剂在100℃温度去胶后，形成源极挖槽区域窗口；

利用选择性等离子体刻蚀源极挖槽区域的氮氧化硅和硅槽，通过定时刻蚀，控制刻蚀深度到重掺杂P型衬底或P+衬底并形成金属源极坑槽；

利用RCA去离子清洗；

通过磁控溅射的方法，物理淀积特定功函数的金属与沟道形成具有一定势垒高度的肖特基结；

利用化学机械抛光进行介质层平整化。