[发明专利]三进制电存储材料及其制备和应用

权利要求书

1.一种三进制电存储材料，其特征在于，所述三进制电存储材料的化学结构通式为：

其中，x为5～9；y为1～5；数均分子量为11000～13000，分子量分布为1.4～1.6，R为-Br、或-H、或-NO₂、或-N(CH₂CH₃)₂。

2.根据权利要求1所述的三进制电存储材料，其特征在于，所述三进制电存储材料为无规共聚物、或嵌段共聚物。

3.一种制备权利要求1所述的三进制电存储材料的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

将咔唑进行烷基化，然后与甲基丙烯酰氯反应，形成第一单体，将萘酐或经过修饰的萘酐进行烷基化，然后与甲基丙烯酰氯反应，形成第二单体；

在保护气体的保护下，将第一单体、第二单体、以及引发剂按照摩尔比1:1:0.01～1:0.1:0.01与环己酮加入到试管中进行反应，反应结束后，将反应液倒入甲醇溶液中沉淀出产物，过滤并烘干获得最终产物。

4.一种制备权利要求1所述的三进制电存储材料的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

将咔唑进行烷基化，然后与甲基丙烯酰氯反应，形成第一单体，将萘酐或经过修饰的萘酐进行烷基化，然后与甲基丙烯酰氯反应，形成第二单体；

在保护气体的保护下，将第一单体、RAFT试剂、引发剂、和3ml的环己酮加入到试管中进行反应，反应结束后，将反应液倒入甲醇溶液中沉淀出产物，过滤并烘干，然后将过滤烘干后的中间产物、第二单体、引发剂、以及环己酮加入到另一试管中进行反应，反应结束后，将反应液倒入甲醇溶液中沉淀出产物，过滤并烘干获得最终产物。

5.一种采用权利要求1所述的三进制电存储材料制得的三进制数据存储器件，所述三进制数据存储器件包括底电极和顶电极，其特征在于，所述三级制数据存储器件还包括聚合物薄膜层，所述聚合物薄膜层位于所述底电极和顶电极之间，所述底电极、聚合物薄膜层、顶电极呈层状形式排列，所述聚合物薄膜层的材质为通式为（I）的三进制电存储材料。

6.根据权利要求5所述的三进制数据存储器件，其特征在于，所述底电极的厚度为10～300nm，所述聚合物薄膜层的厚度为20～150nm，所述顶电极的厚度为20-300nm。

7.根据权利要求5所述的三进制数据存储器件，其特征在于，所述底电极的材料选自：ITO导电玻璃、可蒸镀金属或导电聚合物；其中，所述可蒸镀金属为：金、或铂、或银、或铝、或铜；所述导电聚合物为：聚噻吩、或聚苯胺。

8.根据权利要求5所述的三进制数据存储器件，其特征在于，所述顶电极的材料选自：可蒸镀金属、或金属氧化物；其中，所述可蒸镀金属为：金、或铂、或铝、或铜；所述金属氧化物为氧化铟锡。

9.应用权利要求1所述三进制电存储材料制备三进制数据存储器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在底电极上将所述三进制电存储材料旋涂成膜，形成一层20～150nm活性层；再在三进制电存储材料上真空沉积一层顶电极，制成“底电极/三进制电存储材料/顶电极”的层状结构器件。

10.根据权利要求9所述的制备三进制数据存储器件的方法，其特征在于，所述底电极的材料选自：ITO导电玻璃、可蒸镀金属、或导电聚合物；其中，所述可蒸镀金属为：金、或铂、或银、或铝、或铜；所述导电聚合物为：聚噻吩、或聚苯胺；

所述顶电极的材料选自：可蒸镀金属、或金属氧化物；其中，所述可蒸镀金属为：金、或铂、或铝、或铜；所述金属氧化物为氧化铟锡。