[发明专利]分布反馈式激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种分布反馈式激光器，其特征在于，包括：

N型GaAs衬底；以及

依次沉积于所述N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层；

其中，所述P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。

2.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器，其特征在于，所述边墙光栅的占空比介于0.3～0.8之间，其周期Λ按照以下公式计算：

Λ=nλ2πneff]]>

其中，n是光谱线级数，λ是所述分布反馈激光器激射的波长，n_eff为所述有源区的有效折射率。

3.根据权利要求2所述的分布反馈式激光器，其特征在于，所述n＝1或2。

4.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器，其特征在于，所述脊形波导的刻蚀深度为所述P型AlGaAs上限制层上表面以下，所述非掺杂AlGaAs上垒层下表面以上的深度。

5.根据权利要求4所述的分布反馈式激光器，其特征在于，所述脊形波导的刻蚀深度介于0.5μm-2μm之间。

6.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器，其特征在于，所述脊形波导的宽度L介于2μm-5μm之间，所述边墙光栅的宽度L1介于0.5μm～1μm之间。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的分布反馈式激光器，所述脊形波导包括：

位于中部的条形主体，以及

位于所述条形主体两侧、对称、并沿所述条形主体长度方向延伸的边墙光栅。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的分布反馈式激光器，所述有源区自下而上包括：非掺杂AlGaAs下波导层、非掺杂AlGaAs下垒层、量子阱层、非掺杂AlGaAs上垒层、非掺杂AlGaAs上波导层。

9.一种制备方法，用于制备权利要求1至7中任一项所述的分布反馈式激光器，其特征在于，包括：

步骤A，在GaAs衬底上分别沉积N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、非掺杂AlGaAs下波导层、非掺杂AlGaAs下垒层、量子阱层、非掺杂AlGaAs上垒层、非掺杂AlGaAs上波导层、P型AlGaAs上限制层、电极接触层，完成结构材料的制备；

步骤B，在所述结构材料上制备原始的条形的脊形波导；

步骤C，采用电子束曝光的方法，在所述原始的条形的脊形波导的至少一侧刻蚀形成边墙光栅。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B包括：

子步骤B1，在电极接触层的表面涂上光刻胶，然后采用全息曝光方法曝光出条形的脊形波导图形；

子步骤B2，以光刻胶的脊形波导图形做掩膜，用ICP方法或RIE方法对所述结构材料进行刻蚀，从而在结构材料上得到原始的条形的脊形波导。