[发明专利]半导体装置及其制法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体基板，其具有多个导电穿孔，且该导电穿孔的端面外露于该半导体基板；

缓冲材，其形成于该半导体基板上并外露出该导电穿孔的端面；以及

多个电性接触垫，其分别形成于各该导电穿孔的端面上且电性连接该导电穿孔，并覆盖该缓冲材。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体基板表面还具有绝缘层，使该缓冲材形成于该绝缘层上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该缓冲材位于该导电穿孔的端面周围。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该缓冲材与该导电穿孔的端面边缘对齐。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该缓冲材还形成于该导电穿孔的端面的局部表面上。

6.一种半导体装置，包括：

半导体基板，其具有多个导电穿孔，该导电穿孔的端面外露于该半导体基板；

线路重布结构，其形成于该半导体基板与该导电穿孔的端面上并电性连接各该导电穿孔，且该线路重布结构具有多个垫部；

缓冲材，其形成于各该垫部的局部表面上；以及

多个电性接触垫，其分别形成于各该垫部上且电性连接该垫部，并覆盖该缓冲材。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该半导体基板表面还具有绝缘层，使该线路重布结构形成于该绝缘层上。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，该线路重布结构具有相叠的至少一线路层与介电层，该线路层具有该垫部，且该线路层电性连接该导电穿孔，又该介电层形成于该线路层上并具有开孔，以令该垫部外露于该开孔。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，形成该介电层的材质为氧化硅、氮化硅或聚对二唑苯。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，该缓冲材对应该开孔的孔壁而位于该垫部的边缘。

11.根据权利要求1或6所述的半导体装置，其特征在于，该半导体基板为含硅的板体。

12.根据权利要求1或6所述的半导体装置，其特征在于，该缓冲材呈环状。

13.根据权利要求1或6所述的半导体装置，其特征在于，该缓冲材为聚酰亚胺、聚对二唑苯或苯环丁烯。

14.根据权利要求1或6所述的半导体装置，其特征在于，该装置还包括凸块底下金属层，其形成于该电性接触垫上。

15.根据权利要求2或7所述的半导体装置，其特征在于，该绝缘层的表面与该导电穿孔的端面齐平。

16.根据权利要求2或7所述的半导体装置，其特征在于，形成该绝缘层的材质为氧化硅、氮化硅或聚对二唑苯。

17.一种半导体装置的制法，其包括：

提供一具有多个导电穿孔的半导体基板，且该导电穿孔的端面外露于该半导体基板；

形成缓冲材于该半导体基板上并外露出该导电穿孔的端面；以及

形成多个电性接触垫于各该导电穿孔的端面上，使该电性接触垫电性连接该导电穿孔，且该电性接触垫覆盖该缓冲材。

18.根据权利要求17所述的半导体装置的制法，其特征在于，该半导体基板表面还具有绝缘层，使该缓冲材形成于该绝缘层上。

19.根据权利要求17所述的半导体装置的制法，其特征在于，该缓冲材位于该导电穿孔的端面周围。

20.根据权利要求19所述的半导体装置的制法，其特征在于，该缓冲材与该导电穿孔的端面边缘对齐。

21.根据权利要求17所述的半导体装置的制法，其特征在于，该缓冲材还形成于该导电穿孔的端面的局部表面上。