[发明专利]铜硅合金溅镀靶材及铜硅合金记录层

说明书

技术领域

本发明关于一种铜硅合金溅镀靶材及铜硅合金记录层，尤指一种应用于光记录媒体的铜硅合金溅镀靶材及铜硅合金记录层，属于光记录媒体技术领域。

背景技术

蓝光光盘(Blu-ray Disc)是使用波长为405纳米的蓝色雷射光进行数据读写的工作，其因具备高容量的优势，故已被广泛应用于储存高容量的数据及高画质的影音档案，成为下一世代的光盘规格。

一般单次写入型蓝光光盘的层状结构依序包括：基板、反射层、第一介电层、双记录层、第二介电层及保护层。于目前常见的单次写入型蓝光光盘中，双记录层包括铜/非晶质硅双记录层与铜硅合金/非晶质硅双记录层两种。

以含有铜/非晶质硅双记录层的单次写入型蓝光光盘为例，单次写入型蓝光光盘是利用金属诱发晶格化的相转变机制(metal induced crystallization phase change mechanism)，使非晶质硅能于较低的热处理温度下，透过铜金属诱发非晶质硅进行结晶，由此提升双记录层对蓝色雷射光的实时反射率强度(real-time reflectivity)，完成数据写入的工作。

然而，铜/非晶质硅双记录层因具有高于500℃以上的相转变温度，致使含有此种双记录层的单次写入型蓝光光盘无法在较短的接触时间内发生相转变，若非晶质硅无法于一定的热处理温度下完全结晶，将影响单次写入型蓝光光盘的烧录性能，甚而劣化其电器讯号。是以，使用此种单次写入型蓝光光盘必需将写入功率提高至8毫瓦以上，使铜/非晶质硅双记录层表面产生较高的温度，才能顺利进行相转变，完成数据写入的工作；但提高写入功率会增加单次写入型蓝光光盘的烧录成本，且亦不适用于高倍速烧录的单次写入型蓝光光盘。

因此，为解决上述问题，现有技术开发另一种含有铜硅合金/非晶质硅双记录层的单次写入型蓝光光盘，利用铜硅合金层溅镀于非晶质硅层上，其易与非晶质硅层反应而产生铜硅(Cu₃Si)结晶相的性质，使铜硅合金/非晶质硅双记录层得以于较低的热处理温度下发生相转变。然而，由于铜硅合金/非晶质硅双记录层的相转变温度低于150℃，导致铜金属很容易发生自发反应与氧化作用，而降低此种单次写入型蓝光光盘的实时反射率强度，致使含有铜硅合金/非晶质硅双记录层的单次写入型蓝光光盘常有记录质量不佳的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种铜硅合金溅镀靶材及一种铜硅合金记录层，即提供一种适用于光记录媒体的铜硅合金材料，进而提升光记录媒体的记录质量及烧录速度。

为达上述目的，本发明提供一种铜硅合金溅镀靶材，其由Cu_aSi_bM_c合金组成，其中，M(抗腐蚀性元素)为镍、铬、钼或钛，a为0.55至0.93，b为0.05至0.25，c为0.02至0.20，且a、b及c的总和为1。

据此，由于本发明的铜硅合金溅镀靶材具有适当含量的铜、硅及M，故该铜硅合金溅镀靶材能被使用于溅镀形成适用于光记录媒体的铜硅合金记录层。

在上述铜硅合金溅镀靶材中，优选地，a为0.70至0.80。

在上述铜硅合金溅镀靶材中，优选地，b为0.05至0.12。

在上述铜硅合金溅镀靶材中，优选地，c为0.15至0.20。

在上述铜硅合金溅镀靶材中，优选地，a为0.70至0.80，b为0.05至0.12，c为0.15至0.20，且a、b及c的总和为1。

根据本发明的具体实施方式，优选地，上述铜硅合金溅镀靶材的金相结构是由一基底相及一金属相所组成，其中，该基底相主要由铜硅合金组成，该金属相主要由M组成，所述M为镍、铬、钼或钛。

本发明的铜硅合金溅镀靶材可经由粉末冶金法或熔炼铸造法所制得；优选地，本发明的铜硅合金溅镀靶材由粉末冶金法所制得。

本发明还提供一种铜硅合金记录层，其由Cu_aSi_bM_c合金组成，其中，M为镍、铬、钼或钛，a为0.55至0.93，b为0.05至0.25，c为0.02至0.20，且a、b及c的总和为1。

据此，由于本发明的铜硅合金记录层具有适当含量的铜、硅以及镍、铬、钼或钛，故能具有高于150℃且低于500℃的相转变温度。

在上述铜硅合金记录层中，优选地，a为0.70至0.80。

在上述铜硅合金记录层中，优选地，b为0.05至0.12。

在上述铜硅合金记录层中，优选地，c为0.15至0.20。