[发明专利]提高发光效率的LED芯片结构无效
| 申请号： | 201310499242.5 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103531682A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 邓群雄;郭文平;柯志杰;黄慧诗 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 发光 效率 led 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高发光效率的LED芯片结构，包括衬底（1），衬底（1）上设置N型氮化镓层（2），其特征是：在所述N型氮化镓层（2）上表面设置量子阱（3），在量子阱（3）上表面设置P型氮化镓层（4），在P型氮化镓层（4）上表面设置第一金属膜（5-1），在第一金属膜（5-1）上表面设置P电极（6），在P型氮化镓层（4）上表面设置氧化铟锡薄膜（8），该氧化铟锡薄膜（8）覆盖P型氮化镓层（4）和第一金属膜（5-1）；在所述N型氮化镓层（2）上表面具有刻蚀形成的刻蚀区域，在刻蚀区域设置N电极（7），N电极（7）的底部设置第二金属膜（5-2），N电极（7）与N型氮化镓层（2）欧姆接触。
2.如权利要求1所述的提高发光效率的LED芯片结构，其特征是：所述第一金属膜（5-1）与P型氮化镓层（4）之间非欧姆接触。
3.如权利要求2所述的提高发光效率的LED芯片结构，其特征是：所述第一金属膜（5-1）和第二金属膜（5-2）为铂、铑或铝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏新广联科技股份有限公司，未经江苏新广联科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310499242.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
