[发明专利]一种MOS器件的掺杂方法

权利要求书

1.一种MOS器件的掺杂方法，所述方法依次包括如下步骤：

步骤一，将硅片置入扩散炉中进行第一次热扩散；

步骤二，在上述扩散炉中通入氧气，从而在硅片表面形成薄氧化层；

步骤三，在硅片的薄氧化层表面涂覆混合液，然后进行第二次热扩散掺杂。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

其中，步骤一中，先采用光刻胶在硅片上定义出非掺杂区域，从而露出非掺杂区域的表面，然后在非掺杂区域的表面上形成氮化硅层，氮化硅层的厚度约为100-200微米；然后将硅片置入扩散炉中，排空扩散炉中的氧气后进行第一次热扩散，扩散浓度约为5×10^-14cm^-3至1×10^-15cm^-3，扩散温度约为1100-1200摄氏度，扩散时间约为2-3小时；

其中，步骤二中，在完成步骤一的扩散炉中通入氧气，从而在硅片的掺杂区域表面形成氧化层，扩散炉温度约为700-800摄氏度，形成氧化层的厚度约为100-150埃；

其中，在步骤三中，将形成氧化层的硅片取出，在硅片形成氧化层的表面涂覆混合液，所述混合液由硼乳胶源中加入光刻胶形成，硼乳胶源和光刻胶的比例约为（重量比）：10：3～6克；混合液的具体混合过程为：将硼乳胶源和光刻胶混合，然后放入搅拌器皿中进行充分的搅拌，搅拌时间约为2.5～3.5小时；此后将得到的混合液涂覆到硅片的氧化层表面上以便形成混合液涂覆层，涂覆层厚度约为300-400微米；将涂覆混合液的硅片进行烘烤，烘烤温度约为140-160摄氏度，烘烤时间约为20～25分钟；将烘烤后的硅片取出，再次放入扩散炉进行杂质的第二次热扩散，扩散温度控制在约为1150-1250摄氏度，扩散时间控制在约为2.5～3.5小时，扩散浓度约为5×10^-15cm^-3至5×10^-16cm^-3；扩散完毕后，再将扩散炉降温，直至达到室温时将硅片取出，经过去除硅片表面的氮化硅层后，完成MOS器件掺杂区的掺杂制作。