[发明专利]一种低失调的传感器检测电路

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路领域，更具体的说是涉及一种低失调的传感器检测电路。

背景技术

传感器检测电路有多种电路方式来实现。由于传感器所产生的信号极其微弱，一般都在PF量级，其电容变化量一般在10^-15-10^-18F，要检测如此微小的电容变化量，对检测电路中各部分电路的选取尤为重要。目前电路采用波形信号发生器、C-V转换电路、反相器、加法器、整流电路、低通滤波器等来构建电路，其最小差分量级只可达到10^-16F，而且，其电路结构复杂。

发明内容

本发明提供一种低失调的传感器检测电路，其可消除放大器两端的失调电压，检测精度高，而且电路结构简单。

为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种低失调的传感器检测电路，它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器，所述的场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5和场效应管MOS6的栅极均连接在时钟控制电路上；所述的场效应管MOS2的漏极和场效应管MOS5的漏极均与电源相连；所述的电容C1的一端接地，另一端与场效应管MOS2的源极相连；所述的电容C2的一端接地，另一端与场效应管MOS5的源极相连；所述的放大器的两个输入端分别与场效应管MOS2的源极和场效应管MOS5的源极相连，输出端连接在DA转化器上；所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上；所述的场效应管MOS3的源极接地，漏极与场效应管MOS2的源极相连；所述的场效应管MOS6的源极接地，漏极与场效应管MOS5的源极相连。

更进一步的技术方案是:

作为优选，所述的场效应管MOS2、场效应管MOS5与电源之间还分别连接有场效应管MOS1和场效应管MOS4，所述的场效应管MOS1的源极、场效应管MOS4的源极分别与场效应管MOS2的漏极、场效应管MOS5的漏极相连，所述的场效应管MOS1的漏极和场效应管MOS4的漏极均连接在电源上。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明包含场效应管、电容、放大器、DA放大器和时钟控制芯片，其电路结构简单；且在放大器的两端连接有电容C3，可将放大器两输入端的失调电压消除，增大了检测精度。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1为实施例1的电路图。

图2为实施例2的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例1]

如图1所示的一种低失调的传感器检测电路，它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器，所述的场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5和场效应管MOS6的栅极均连接在时钟控制电路上；所述的场效应管MOS2的漏极和场效应管MOS5的漏极均与电源相连；所述的电容C1的一端接地，另一端与场效应管MOS2的源极相连；所述的电容C2的一端接地，另一端与场效应管MOS5的源极相连；所述的放大器的两个输入端分别与场效应管MOS2的源极和场效应管MOS5的源极相连，输出端连接在DA转化器上；所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上；所述的场效应管MOS3的源极接地，漏极与场效应管MOS2的源极相连；所述的场效应管MOS6的源极接地，漏极与场效应管MOS5的源极相连。

由时钟控制电路来控制场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5和场效应管MOS6的交替开关，场效应管MOS2和场效应管MOS3的开合同步，场效应管MOS5和场效应管MOS6的开合同步，实现对两个电容的交错充放电采用。对电容进行时间相同的充电，电容大小与充电后的电压高低相关，放大器检测两个电容的电压差值，放大后进行数模转换输出数字信号，便于后续设备计算加速度。场效应管MOS3、场效应管MOS6分别为电容C1、电容C2所处支路提供通路。放大器的两个输入端上连接电容C3，可将两端的失调电压消除，增大监测的精度。

[实施例2]