[发明专利]一种新型LED发光二级管无效
| 申请号： | 201310501962.0 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103545433A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 周肇炎 | 申请（专利权）人： | 周肇炎 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 321500 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 led 发光 二级 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型LED发光二极管，其特征在于：包括基座，及设置在基座上方的壳体，及设置在基座上左侧的正电极，及设置在基座上右侧的负电极，及与正电极和负电极相连接的LED发光二级管芯片，及设置在LED发光二级管芯片外侧的电流扩展层，及设置在电流扩展层外侧的透光层，及设置在透光层外侧的表面粗化层，及设置在表面粗化层外侧的荧光粉层。
2.根据权利要求1所述的新型LED发光二极管，其特征在于：所述的电流扩展层厚度为200微米，其折射率为0.5-0.6。
3.根据权利要求1所述的新型LED发光二极管，其特征在于：所述的透光层厚度为150微米，其折射率为1.40-1.65，所述的透光层为硅胶材料层。
4.根据权利要求1所述的新型LED发光二极管，其特征在于：所述的表面粗化层厚度为100微米，其折射率为1.0-1.35。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周肇炎，未经周肇炎许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310501962.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
