[发明专利]一种传送带

说明书

技术领域

本发明涉及IC级硅单晶抛光片技术领域,特别是涉及一种用于用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾的传送带。

背景技术

IC级硅单晶抛光片是制造大规模和超大规模集成电路的核心材料，主要用于高速计算机、航空航天等高科技领域。硅单晶抛光片的微缺陷“氧化雾”一直困扰着高可靠性器件用硅单晶抛光片的质量。长期以来，人们采用多种方法以消除硅抛光片表面的氧化雾。所采用的方法主要是通过吸杂的方式，有内吸杂和外吸杂两种。内吸杂主要是利用硅片中的氧沉淀产生吸杂区消除硅抛光表面的氧化雾，因其设备昂贵，工艺复杂，要求硅片内氧沉淀分布均匀，不易控制，重复性差，因此在国内外应用较少。外吸杂主要是利用外部手段在硅片背面形成损伤或应力，具体方式有在硅片背面用金钢砂带损伤、激光损伤或LPCVD生长多晶硅层等，或者采用辐照、加热预处理、硅片背面软损伤等方法对硅片的氧化雾进行消除。

对硅片的背面采用干法喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面的氧化雾是近年来新兴的一种可有效消除硅抛光片表面的氧化雾，同时又工艺简单合理，投资小，可操作性强，易于实施的外吸杂方法。其是根据背损吸杂原理,在硅片背面干法喷砂，产生晶格损伤或畸变，制造吸杂源，通过对喷砂粒度、喷砂压力、作业片距、时间过程的控制和调制，在硅片背面制造均匀的层错密度，即在硅片背面产生6-38×104个／cm²的损伤层错，诱生堆杂层错，使硅片具有非本征的吸杂能力。在高温下，硅片的杂质会移位，并且转移到硅片里面和背面的非要害部位，在抛光片表面的制作集成电路区域，形成厚度几个um的洁净区，从而获得无“氧化雾”的高品质硅抛光片，确保IC产品电路特性不受影响。

请参阅图1所示，是现有技术的传送带的示意图，现有技术的传送带1通常是由致密的尼龙布制成，在对硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾时，设置于运送硅片的传送带上方的金刚砂喷嘴会向传送带上的硅片喷洒金刚砂，一些金刚砂同时也会散落于硅片四周的传送带上，而采用上述的这种致密的尼龙布传送带1运送硅片，这些散落于硅片四周的传送带上的金刚砂只能够从传送带出口处进行收集。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型结构的传送带，所要解决的技术问题是使其通过采用网状传送带运送硅片及在传送带的下方配置粉尘收集装置，可以随时对散落于传送带上硅片四周的金刚砂进行收集，再利用，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种传送带，用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾，在所述传送带的承载构件上设有网格，所述网格贯穿所述承载构件的承载面和与其相对的另一面，在所述传送带的下方设有粉尘收装置，所述传送带的网格能够允许散落于所述传送带上的金刚砂通过进入所述粉尘收集装置。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的传送带，其中所述传送带为网状尼龙布传送带。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明一种传送带至少具有下列优点及有益效果：本发明通过采用网状传送带运送硅片及在传送带的下方配置粉尘收集装置，可以随时对散落于传送带上硅片四周的金刚砂进行收集，再利用。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。

附图说明

图1是现有技术的传送带的示意图。

图2是本发明的传送带的示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种传送带其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明,应当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效获得一更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。

请参阅图2所示，是本发明的传送带的较佳实施例的结构示意图。