[发明专利]包含具有镜像晶体管布局的像素单元的图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其包括

第一像素单元，其具有第一多个光电二极管及第一共享浮动扩散区；

第二像素单元，其水平邻近于所述第一像素单元，具有第二多个光电二极管及第二共享浮动扩散区；

所述第一像素单元的第一像素晶体管区，其具有用于从所述第一共享浮动扩散区读出图像数据的多个像素晶体管；及

所述第二像素单元的第二像素晶体管区，其水平邻近于所述第一像素晶体管区，具有用于从所述第二共享浮动扩散区读出图像数据的多个像素晶体管；

其中所述第二像素晶体管区的晶体管布局为所述第一像素晶体管区的晶体管布局的镜像，且其中所述像素晶体管区各自包含行选择晶体管及源极随耦器晶体管，所述图像传感器进一步包括在所述第一与第二像素晶体管区之间共享的共享复位晶体管，且其中所述镜像是关于二等分所述共享复位晶体管的垂直线取得的。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述镜像是关于将所述第一像素单元与所述第二像素单元分离的垂直线取得的。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每一像素单元具有不多于一个共享浮动扩散区。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一像素晶体管区在包含所述第一多个光电二极管的第一光电二极管区的外侧垂直位移，且其中所述第二像素晶体管区在包含所述第二多个光电二极管的第二光电二极管区的外侧垂直位移。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个光电二极管中的每一者包含不多于且不少于四个光电二极管。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：

第三像素单元，其水平邻近于所述第二像素单元，具有第三多个光电二极管及第三共享浮动扩散区；及

所述第三像素单元的第三像素晶体管区，其水平邻近于所述第二像素晶体管区，具有用于从所述第三共享浮动扩散区读出图像数据的多个像素晶体管，

其中所述第三像素晶体管区的晶体管布局为所述第二像素晶体管区的所述晶体管布局的镜像。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述第二像素晶体管区的源极随耦器晶体管邻近于所述第三像素晶体管区的源极随耦器晶体管安置。

8.一种互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器，其包括

第一像素单元，其具有不多于且不少于四个光电二极管的第一光电二极管区及第一共享浮动扩散区；

第二像素单元，其水平邻近于所述第一像素单元，具有不多于且不少于四个光电二极管的第二光电二极管区及第二共享浮动扩散区；

所述第一像素单元的第一像素晶体管区，其在所述第一光电二极管区的外侧垂直位移；及

所述第二像素单元的第二像素晶体管区，其在所述第二光电二极管区的外侧垂直位移且水平邻近于所述第一像素晶体管区，

其中所述第二像素晶体管区的晶体管布局为所述第一像素晶体管区的晶体管布局的镜像，所述镜像是关于将所述第一像素单元与所述第二像素单元分离的垂直线取得的，且其中所述像素晶体管区各自包含行选择晶体管及源极随耦器晶体管，所述图像传感器进一步包括在所述第一与第二像素晶体管区之间共享的共享复位晶体管。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中每一像素单元具有不多于一个共享浮动扩散区。

10.根据权利要求8所述的图像传感器，其进一步包括：

第三像素单元，其水平邻近于所述第二像素单元，具有不多于且不少于四个光电二极管的第三光电二极管区及第三共享浮动扩散区；及

所述第三像素单元的第三像素晶体管区，其在所述第三光电二极管区的外侧垂直移位且水平邻近于所述第二像素晶体管区，所述第三像素晶体管区具有复位晶体管、行选择晶体管及源极随耦器晶体管，

其中所述第三像素晶体管区的晶体管布局为所述第二像素晶体管区的所述晶体管布局的镜像，所述镜像是关于将所述第二像素单元与所述第三像素单元分离的垂直线取得的。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述第二像素晶体管区的所述源极随耦器晶体管邻近于所述第三像素晶体管区的所述源极随耦器晶体管安置。