[发明专利]一种缓启动电路

权利要求书

1.一种缓启动电路，其特征在于，包括：

第一电源；

第二电源；

接入第一电源的电容；

与所述电容串联的开关晶体管，其栅极接入第二电源的第一输出端；

第一控制模块，用于在所述开关晶体管的源漏电压V_DS大于预设阈值时，控制所述开关晶体管工作在线性区；

所述开关晶体管为N-MOS管，其漏极与所述电容连接，其源极接地；所述第二电源还包括第二输出端；

第一控制模块包括稳压单元，所述稳压单元的输入端与所述第二电源的第二输出端连接，其输出端通过第一控制开关与所述开关晶体管的栅极和源极连接，用于根据工作信号为所述开关晶体管的源极和栅极提供电压，使得所述开关晶体管工作在线性区；

或者

所述开关晶体管为P-MOS管，其漏极与所述电容连接，其源极接入所述第一电源；所述稳压单元的输入端与所述第一电源连接，其输出端通过第二控制开关与所述开关晶体管的栅极和源极连接。

2.根据权利要求1所述的缓启动电路，其特征在于，所述第一控制模块还包括：

采样单元，用于采集所述开关晶体管的V_DS，当所述V_DS大于预设阈值时，根据所述V_DS向所述第一控制模块提供工作信号。

3.根据权利要求2所述的缓启动电路，其特征在于，还包括：

第二控制模块，用于当所述开关晶体管的V_DS小于预设阈值时，控制所述开关晶体管工作在欧姆导通区。

4.根据权利要求3所述的缓启动电路，其特征在于，所述采样单元还用于：当采集到的V_DS小于预设阈值时，断开所述第一控制开关；当采集到的V_DS大于预设阈值时，闭合所述第一控制开关。

5.根据权利要求4所述的缓启动电路，其特征在于，

所述第二电源还包括第三输出端；

所述第二控制模块包括第一可击穿二极管，其负极与所述第三输出端连接，其正极与所述开关晶体管的源极连接；

当所述第一控制开关断开时，所述第二电源击穿所述第一可击穿二极管并到达所述开关晶体管的源极，使得所述开关晶体管工作在欧姆导通区。

6.根据权利要求3所述的缓启动电路，其特征在于，所述采样单元还用于：当采集到的V_DS小于预设阈值时，断开所述第二控制开关；当采集到的V_DS大于预设阈值时，闭合所述第二控制开关。

7.根据权利要求6所述的缓启动电路，其特征在于，

所述第二控制模块包括第二可击穿二极管，其负极与所述第一电源连接，其正极分别与所述开关晶体管的栅极和所述第二电源的第一输出端连接；所述第二电源的电压小于所述第一电源的电压；

当所述第二控制开关断开时，所述第一电源击穿所述第二可击穿二极管并到达所述开关晶体管的栅极，使得所述开关晶体管工作在欧姆导通区。

8.根据权利要求4至7任一项所述的缓启动电路，其特征在于，还包括：

温度补偿模块；其控制端与所述采样单元连接，用于根据所述工作信号对所述开关晶体管进行温度补偿。

9.根据权利要求8所述的缓启动电路，其特征在于，所述温度补偿模块接入在所述稳压单元与控制开关之间。

10.根据权利要求2至7任一项所述的缓启动电路，其特征在于，所述采样单元具体通过分压电路接入所述开关晶体管的V_DS；

所述分压电路包括第一电阻、第二电阻以及第三电阻；其中

所述第一电阻第一端与所述开关晶体管的源极连接，其第二端与所述第三电阻的第一端连接；

所述第二电阻第一端与所述开关晶体管的漏极连接，其第二端与所述第三电阻的第一端连接；

所述第三电阻的第二端与所述采样单元连接。