[发明专利]清洁制剂

权利要求书

1.一种用于从半导体衬底除去残留物的组合物，所述组合物由以下组成：

a)35重量％至50重量％的水；

b)10重量％至30重量％的水可混溶的有机溶剂，其中所述水可混溶的有机溶剂选自丙二醇、甘油、二甲基乙酰胺、四氢糠醇、乙二醇、己二醇及其混合物；

c)8重量％至50重量％的氨基丙基吗啉或选自如下的烷醇胺：N-甲基乙醇胺(NMEA)、单乙醇胺(MEA)、二乙醇胺、单-、二-和三-异丙醇胺、2-(2-氨基乙氨基)乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、三乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、环己基胺二乙醇及其混合物；

d)6重量％至10重量％的有机酸；

e)1重量％至8重量％的氟离子源；和

f)任选地，0.1重量％至15重量％的腐蚀抑制剂，选自苯并三唑、氨基苯并三唑、L-抗坏血酸、没食子酸、香草醛、二乙基羟胺及其混合物；

其中所述组合物能够提供或更小的铜蚀刻速率。

2.权利要求1的组合物，其中所述水可混溶的有机溶剂是二甲基乙酰胺。

3.权利要求1的组合物，其中所述水可混溶的有机溶剂是丙二醇。

4.权利要求1的组合物，其中所述水可混溶的有机溶剂是甘油。

5.权利要求1的组合物，其中所述氟离子源选自氟化铵和季铵化合物。

6.权利要求5的组合物，其中所述氟离子源是氟化铵。

7.权利要求5的组合物，其中所述氟离子源是选自四甲基氟化铵和四丁基氟化铵的季铵化合物。

8.权利要求1的组合物，其中所述烷醇胺是单乙醇胺。

9.权利要求1的组合物，其中组分c)是8重量％至50重量％的氨基丙基吗啉。

10.权利要求1的组合物，其中所述烷醇胺是三乙醇胺。

11.权利要求1的组合物，其中所述烷醇胺是三乙醇胺和2-(2-氨基乙氧基)乙醇的混合物。

12.一种用于从半导体衬底除去残留物的方法，所述方法包括以下步骤：

将所述半导体衬底与权利要求1-11中任一项的清洁组合物接触，其中所述半导体衬底包括具有一定介电常数的多孔介电材料；

从所述半导体衬底漂洗掉所述清洁组合物；和

干燥所述半导体衬底，

其中所述多孔介电材料的介电常数增加不超过0.50。

13.权利要求12的方法，其中所述多孔介电材料的介电常数增加不超过0.25。

14.权利要求12的方法，其中所述清洁组合物提供的铜蚀刻速率为或更小。