[发明专利]光学邻近修正模型的获取方法有效
申请号: | 201310505289.8 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN104570586B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 王辉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版图形 光学邻近修正 光强信息 修正 模型数据库 用户目标 电路设计 相干 数据库 客户 记录 | ||
1.一种光学邻近修正模型的获取方法,其特征在于,包括:
获取用户目标图形,对所述用户目标图形进行光学邻近修正,获得修正后掩膜版图形;
得到修正后掩膜版图形的光强信息;所述修正后掩膜版图形的光强信息包括:修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值;
若光学邻近修正模型数据库内不存在与修正后掩膜版图形的光强信息相一致的已有掩膜版图形的光强信息,则将上述修正后掩膜版图形的光强信息、修正后掩膜版图形及其周围相干半径记录入所述光学邻近修正模型数据库;
其中,所述已有掩膜版图形的光强信息包括:已有掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值。
2.根据权利要求1所述的光学邻近修正模型的获取方法,其特征在于,
得到修正后掩膜版图形的光强信息包括:获得修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线,根据所述空间光强分布曲线获得所述曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率,并以光刻胶曝光参考阈值与所述空间光强分布曲线的交点为中心,在第一空间范围内寻找光强最大值、光强最小值;
修正后掩膜版图形的光强信息与已有掩膜版图形的光强信息相一致为:所述修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值分别与已有掩膜版图形对应各片段的空间光强分布曲线在光刻胶曝光参考阈值处的斜率、在第一空间范围内的光强最大值、光强最小值相等。
3.根据权利要求2所述的光学邻近修正模型的获取方法,其特征在于,修正后掩膜版图形各片段的边切分参数与已有掩膜版图形各片段的边切分参数相同。
4.根据权利要求3所述的光学邻近修正模型的获取方法,其特征在于,所述边切分参数包括步长。
5.根据权利要求2所述的光学邻近修正模型的获取方法,其特征在于,所述第一空间范围至少为(2.5λ/NA)/(1+δ),λ为曝光波长,NA为数值孔径,δ为曝光光源光斑大小。
6.根据权利要求1所述的光学邻近修正模型的获取方法,其特征在于,所述修正后掩膜版图形周围相干半径至少为:(20λ/NA)/(1+δ),λ为曝光波长,NA为数值孔径,δ为曝光光源光斑大小。
7.根据权利要求2所述的光学邻近修正模型的获取方法,其特征在于,所述修正后掩膜版图形各片段的光刻胶曝光参考阈值相等。
8.根据权利要求2所述的光学邻近修正模型的获取方法,其特征在于,所述修正后掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线为最佳聚焦平面的空间光强分布。
9.根据权利要求2所述的光学邻近修正模型的获取方法,其特征在于,所述已有掩膜版图形各片段的空间光强分布曲线为最佳聚焦平面的空间光强分布。
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