[发明专利]一种新型白光LED结构及其制作方法

权利要求书

1.一种新型白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红黄光LED芯片，其特征在于：所述蓝光芯片包括有蓝宝石衬底、在蓝宝石衬底上依次生长的GaN缓冲层、DBR层、n型GaN层、由InGaN和GaN材料层组成的发光层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN层和ITO透明电极层；所述红黄光芯片包括有GaP衬底、在GaP衬底上依次生长的n型AlInGaN层、发光波长为560-600nm的Al_xIn_yGa_zP发光层、p型AlInGaN层、ITO透明电极层和反射层，其中AlxInyGazP发光层中，x和y的摩尔分数均为0.25-0.5，x＝y，z＝1-x-y。

2.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述红黄光芯片的尺寸大于或等于蓝光芯片的尺寸。

3.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述DBR层由2-15个周期材料层组成，每一种周期材料层由AlGaN、InGaN和GaN中的两种材料层组成，每一材料层的厚度为蓝光波长的1/4、1/8或1/16除以材料的折射率。

4.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述反射层为金属反射层和/或DBR结构，DBR结构材料为AlGaN、InGaN和GaN中的两种。

5.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述胶的材料为有机硅胶、银浆、导热胶、合金焊中的一种或多种，胶的厚度为100nm-100um。

6.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述蓝光芯片中，p型半导体材料层上设有阳极，n型半导体材料层上设有阴极，阴、阳极均设有焊线阴、阳极材料均为Ti、Ni、Au、Ag、Pt、Cr和Wu中的一种或多种，焊线材料为Cu、Al和Ag中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的新型白光LED结构，其特征在于：所述红黄光芯片中，p型半导体材料层上设有阳极，n型半导体材料层上设有阴极，阴、阳极均设有焊线，阴、阳极材料均为Ti、Ni、Au、Ag、Pt、Cr和Wu中的一种或多种，焊线材料为Cu、Al和Ag中的一种或多种。