[发明专利]大型单层陶瓷被动元件带有复合电极层的基片

权利要求书

1.一种大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片，该大型单层陶瓷被动元件基片造型为正方形或正圆片的结构体，通过陶瓷注射成形技术将特征制作出来，其特征在于包含：两侧具有电极凸台、圆角化的电极凸台边缘、本体交接处与基片本体的边缘，经过复合脱黏、气氛与压力控制烧结后，再采用低温真空溅镀布施铜电极，成为一种大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片。

2.如权利要求1所述的大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片，其特征在于该大型单层陶瓷被动元件基片造型为正方形或正圆片的结构体，该正方形边长尺寸大于15mm，或该正圆形直径大于15mm，且整体厚度大于1mm以上。

3.如权利要求1所述的大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片，其特征在于该电极凸台特征为在单层陶瓷基片体的最大两面积侧﹐距离边缘0.5～1mm以内，形成向上侧凸出至少是0.1mm以上但不超过该本体的1/2厚度，供后续制程布施电极使用。

4.如权利要求1所述的大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片，其特征在于该圆角化的电极凸台边缘、本体交接处，其圆角的半径尺寸为大于0.05mm以上，但不超过该凸台全高的1/2高度，以作为两侧电极涂布及后续制程的精确定位。

5.如权利要求1所述的大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片，其特征在于该圆角化的基片本体的边缘，其圆角的半径尺寸为大于0.05mm以上，但不超过陶瓷基片本体的1/2厚度，此特征提供后续制程与此陶瓷被动元件工作时的撞击缺角、急速膨胀的应力集中的缓冲。

6.如权利要求3所述的大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片，其特征在于该电极凸台，提供以真空溅镀布施铜电极使用的精确定位，防止电极施工过程的偏差，以及确保两侧电极同心或是相同投影面积，且因此不造成两电极溢出造成距离过近产生的引弧与短路问题。

7.如权利要求1所述的大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片，其特征在于该陶瓷注射成形技术，其陶瓷原料粉末必须混合大于整体射料的30%与小于50%之间的体积比例的高分子聚合物黏结剂，进行充分密炼后使用，同时将生坯体与烧结后陶瓷基片体的线性放大比控制在大于1.05但小于1.19以内的范围。

8.如权利要求1所述的大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片，其特征在于该作为黏结剂配方的高分子聚合物，包含低熔点的部份，以硬脂酸/硬脂酸锌/硬脂酸金属基等作为活化剂，以石蜡/微晶蜡/巴西蜡/蜜蜡可作为填充剂，而活化剂和填充剂的总和体积比例等于黏结剂总和体积的50%：黏结剂剩余的50%体积则为耐高温黏结剂，则是以高密度聚乙烯(HDPE)/聚乙烯/乙烯﹑醋酸乙烯酯共聚合物(EVA)/聚丙烯(PP)，采用单独或任意比例混合均可的配方。

9.如权利要求6所述的大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片，其特征在于该电极凸台特征﹐提供以真空溅镀布施铜电极使用的精确定位且避免外接引线接触陶瓷被动元件基片的本体，而真空溅镀的镀层设计采用复合镀层，以镍铬及其合金作为陶瓷被动元件基片的表面与导电层、导电层与导电层相衔接的过渡层材料，其厚度由10nm～1500nm范围均可；导电层材料则以铜/铝之高导电的纯金属，以真空溅渡布施的厚度则为300nm～3000nm范围均可。由过渡层-导电层构成的第一复合镀层组合，可连续实施由单一层次至复数层次范围。

10.如权利要求6所述的大型单层陶瓷被动元件带有铜电极的基片，其特征在于该电极凸台﹐提供以真空溅镀布施铜电极使用的精确定位，除提供以真空溅镀布施复合层电极使用的精确定位之外，亦可作为网版印刷、滚印与压印各种导电金属或合金浆体之用，以形成正确且不致溢出金属浆体的电极。