[发明专利]一种薄膜层应力的测量方法和系统

权利要求书

1.一种薄膜层应力的测量方法，其特征在于，包括：

在基片表面形成多个标记，记录每个标记在基片表面的原始坐标值；

在做标记的基片表面生长薄膜层，所述薄膜层覆盖在所述基片和所述标记上；

测量生长薄膜层后的每个标记的现有坐标值，得到每个标记现有坐标值和原始坐标值之间的偏差值；

根据每个标记的原始坐标值和所述偏差值，计算所述薄膜层的应力值。

2.根据权利要求1所述的薄膜层应力的测量方法，其特征在于，所述根据每个标记的原始坐标值和所述偏差值，计算所述薄膜层的应力值包括：根据每个标记的原始坐标值和所述偏差值，计算所述薄膜层生长前后基片曲率半径的变化，根据所述曲率半径的变化计算所述薄膜层的应力值。

3.根据权利要求1所述的薄膜层应力的测量方法，其特征在于，所述方法还包括：根据每个标记在基片表面的原始坐标值和所述偏差值，计算薄膜层应力在基片上的分布情况。

4.根据权利要求1所述的薄膜层应力的测量方法，其特征在于：

所述在基片表面形成多个标记包括：在基片表面通过光刻刻蚀工艺形成多个标记；

和／或，所述记录每个标记在基片表面的原始坐标值包括：利用光刻机测量并记录每个标记在基片表面的原始坐标值；

和／或，所述测量生长薄膜层后的每个标记的现有坐标值包括：利用光刻机测量生长薄膜层后的每个标记的现有坐标值；

和／或，所述标记的个数为8-15个；

和／或，所述标记在基片表面的分布为：放射状分布；或，环状分布；或，散点分布。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜层应力的测量方法，其特征在于：

所述薄膜层的厚度为：1～10000nm。

6.一种薄膜层应力的测量系统，其特征在于，包括：标记处理单元、薄膜生长单元、测量单元和应力计算单元，标记处理单元与薄膜生长单元和测量单元分别相连，测量单元还与应力计算单元相连，其中：

标记处理单元，用于在基片表面形成多个标记；记录每个标记在基片表面的原始坐标值；以及记录生长薄膜层后的每个标记的现有坐标值；

薄膜生长单元，用于在做标记的基片表面生长薄膜层，所述薄膜层覆盖在所述基片和所述标记上；

测量单元，用于得到所述标记处理单元记录的每个标记现有坐标值和原始坐标值之间的偏差值；

应力计算单元，用于根据每个标记的原始坐标值和所述偏差值，计算所述薄膜层的应力值。

7.根据权利要求6所述的薄膜层应力的测量系统，其特征在于，所述应力计算单元包括：

曲率半径计算子单元，用于根据每个标记的原始坐标值和所述偏差值，计算所述薄膜层生长前后基片曲率半径的变化；

应力值计算子单元，用于根据所述曲率半径的变化计算所述薄膜层的应力值。

8.根据权利要求6所述的薄膜层应力的测量系统，其特征在于，所述系统还包括：分布计算单元，与测量单元相连，用于根据每个标记在基片表面的原始坐标值和所述偏差值，计算薄膜层应力在基片上的分布情况。

9.根据权利要求6所述的薄膜层应力的测量系统，其特征在于：

所述标记处理单元包括：光刻机，用于在基片表面通过光刻刻蚀工艺形成多个标记；测量每个标记在基片表面的原始坐标值；测量生长薄膜层后的每个标记的现有坐标值；

和／或，所述标记处理单元用于形成标记的个数为：8-15个；

和／或，所述标记处理单元用于形成标记在基片表面的分布为：放射状分布；或，环状分布；或，散点分布。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的薄膜层应力的测量系统，其特征在于，所述薄膜生长单元用于生长的薄膜层的厚度为：1～10000nm。